时间：2025/12/25 14:11:55
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UMA8NTR是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽栅极技术和薄芯片工艺设计，专为高效能功率转换应用而优化。该器件封装在DFN2020-6L（双扁平无引脚）小型化封装中，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于空间受限且对效率要求较高的便携式电子设备与电源管理系统。UMA8NTR通过优化的芯片结构，在保证高击穿电压的同时实现了更低的栅极电荷和输出电容，从而显著降低了开关损耗，提升了整体系统能效。其主要面向DC-DC转换器、负载开关、电池管理电路以及电机驱动等应用场景。该器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适合现代绿色电子产品制造需求。得益于其小尺寸封装和高性能参数，UMA8NTR广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网终端设备中的电源模块设计。
型号：UMA8NTR
制造商：STMicroelectronics
产品类型：MOSFET
技术类型：N-Channel MOSFET
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装/外壳：DFN2020-6L
通道数：1
漏源电压(Vdss)：80V
连续漏极电流(Id) @25℃：7.3A
脉冲漏极电流(Idm)：29A
栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on)) @4.5V Vgs：9.5mΩ
导通电阻(Rds(on)) @10V Vgs：8mΩ
阈值电压(Vgs(th)) @250μA：2.3V（典型值）
输入电容(Ciss) @1MHz：950pF
输出电容(Coss)：270pF
反向恢复时间(Trr)：18ns
栅极电荷(Qg) @10V Vgs：14nC
功耗(Pd)：2.5W
UMA8NTR采用先进的沟槽栅极MOSFET技术，具备极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=4.5V时仅为9.5mΩ，而在Vgs=10V时进一步降低至8mΩ，这一特性使其在大电流传输过程中能够有效减少功率损耗，提高系统效率。低Rds(on)不仅有助于降低温升，还能减小散热设计的复杂度，特别适用于紧凑型高密度电源设计。此外，该器件的阈值电压Vgs(th)典型值为2.3V，确保了在逻辑电平信号下即可实现充分导通，兼容多种控制器输出，包括微控制器和专用电源管理IC。其最大漏源电压Vdss达到80V，能够在中高压环境下稳定工作，适用于48V以下工业电源、电信设备及消费类电子产品中的DC-DC变换拓扑结构。
该MOSFET具有出色的开关性能，输入电容Ciss为950pF，输出电容Coss为270pF，结合仅14nC的总栅极电荷Qg（@10V），显著降低了驱动损耗和开关延迟，有利于实现高频操作下的高效能量转换。这对于同步整流、有源钳位等需要快速切换的应用至关重要。反向恢复时间Trr仅为18ns，意味着体二极管的恢复速度较快，减少了交叉导通风险和电磁干扰(EMI)，提升了系统的可靠性和稳定性。DFN2020-6L封装采用底部裸露焊盘设计，极大增强了热传导能力，使器件能在有限空间内有效散热，提升长期运行的可靠性。同时，该封装尺寸仅为2.0mm x 2.0mm，节省PCB布局面积，满足便携式设备对小型化的严苛要求。
UMA8NTR还具备良好的抗雪崩能力和稳健的短路耐受性，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持安全运行。其额定工作结温高达+150℃，表明其可在高温环境中持续服役而不发生性能退化。器件经过严格的质量控制和可靠性测试，符合AEC-Q101车规级认证的部分要求，因此也可用于汽车电子辅助电源系统。综合来看，UMA8NTR凭借其低导通损耗、优异的热管理能力、紧凑封装和高可靠性，成为现代高效电源架构中理想的功率开关元件。
用于同步降压转换器中的主开关管或整流管
作为升压变换器中的功率开关使用
应用于电池供电设备中的负载开关与电源路径管理
用于电机驱动电路中的低侧或高侧开关
适用于服务器和通信设备中的POL（点负载）电源设计
用于LED驱动电源和DC-DC模块电源中
应用于笔记本电脑、平板和移动电源等便携式设备的电源管理单元
STP80NF80,IPD80N08S2L-03,IRF7389
