型号：UMA1015
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：100V
　　连续漏极电流ID：6A
　　脉冲漏极电流IDM：24A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：85mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：110mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压Vth：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容Ciss：450pF @ VDS=50V
　　输出电容Coss：120pF @ VDS=50V
　　反向传输电容Crss：35pF @ VDS=50V
　　栅极电荷Qg：12nC @ VGS=10V
　　二极管正向电流IF：6A
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252(DPAK)
　　功率耗散PD：50W

UMA1015具备出色的电气性能和热稳定性，其核心特性之一是低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下仅为85mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间并减少发热问题。同时，在较低的驱动电压（如4.5V）下仍能保持110mΩ的低导通电阻，使其兼容多种逻辑电平驱动电路，包括由微控制器直接驱动的应用场景。
　　该器件具有较高的漏源击穿电压（100V），能够安全地用于多种中压电源系统中，例如12V、24V甚至48V的直流电源架构。其最大连续漏极电流可达6A，脉冲电流能力高达24A，展现出强大的瞬态负载承受能力，适用于电机启动、继电器驱动等存在冲击电流的场合。栅极阈值电压范围为2.0V至3.0V，确保了器件在正常工作条件下的可靠开启，同时避免因噪声干扰导致误触发。
　　UMA1015的电容参数经过优化，输入电容Ciss为450pF，反向传输电容Crss仅为35pF，有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰，提升高频开关应用中的效率。其栅极电荷Qg为12nC（@10V），属于较低水平，意味着驱动电路所需提供的能量较少，有利于简化驱动设计并降低驱动功耗。
　　采用TO-252（DPAK）封装，UMA1015不仅体积小巧，便于自动化贴装，而且具备良好的散热性能，可通过PCB上的铜箔进行有效热传导。该封装形式广泛应用于表面贴装技术中，适合大批量生产。此外，器件工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工作环境，无论是工业现场还是车载应用都能稳定运行。整体来看，UMA1015是一款集高性能、高可靠性与经济性于一体的N沟道MOSFET，适用于广泛的功率开关与控制任务。

UMA1015广泛应用于各类中低功率电力电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）中的同步整流或主开关元件，尤其在反激式和降压型（Buck）转换器中表现优异。它也常用于DC-DC升压或降压模块，作为功率开关管实现高效的电压变换，适用于便携式设备、LED驱动电源和嵌入式系统供电方案。
　　在电池管理系统（BMS）中，UMA1015可用于充放电回路的通断控制，凭借其低导通电阻和高电流能力，有效降低能量损耗并提升系统效率。此外，在电机驱动电路中，该器件可作为H桥或半桥结构中的开关元件，控制直流电机或步进电机的运转方向与速度，适用于小型家电、电动工具和自动化设备。
　　由于其具备较强的过载能力和良好的热稳定性，UMA1015也被用于各类负载开关设计，如USB电源开关、热插拔控制器和继电器替代方案，实现对负载的快速、安全控制。在逆变器和UPS不间断电源系统中，该MOSFET可用于低功率逆变桥臂，完成直流转交流的能量转换功能。
　　消费类电子产品如智能插座、无线充电器、路由器电源模块等也普遍采用UMA1015进行功率调节与管理。其小型化封装和表面贴装特性使其非常适合空间受限的设计需求。同时，工业控制板、传感器供电单元和LED照明驱动电源同样是其典型应用场景。总体而言，UMA1015凭借其优异的综合性能，已成为多种电子系统中不可或缺的关键功率器件。

SISS815DN-T1-GE3
　　FDS6680A
　　AO3400