类型：半桥驱动器
　　通道数：6
　　工作电压范围（VDD）：10V ~ 20V
　　高压侧浮动电压范围：-5V ~ 600V
　　低压侧接地参考电压：0V ~ VDD
　　输入逻辑电平兼容：TTL/CMOS
　　驱动峰值电流（源/汲）：250mA / 500mA
　　传播延迟时间：典型值200ns
　　上升时间（典型值）：50ns
　　下降时间（典型值）：30ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：SOP28/DIP28

UM6K31NTN的核心特性之一是其六通道半桥驱动架构，包含三个独立的高边驱动通道和三个对应的低边驱动通道，每个通道均可独立控制，适用于三相逆变电路中的上桥臂与下桥臂驱动需求。这种结构特别适合驱动BLDC（无刷直流电机）或PMSM（永磁同步电机）所需的六步换向逻辑。所有输入端均具备施密特触发器设计，增强了对噪声的抑制能力，在电磁干扰较强的工业环境中仍能保持稳定工作。
　　该芯片内置了高效的电荷泵电路，用于实现高边驱动的自举供电。此电荷泵能够在高频开关条件下持续为高边MOSFET提供稳定的栅极驱动电压，确保在高占空比甚至接近100%占空比的工作模式下依然可靠导通。同时，集成的自举二极管不仅降低了外部元器件数量，也减少了PCB布局复杂性，并提升了整体系统的可靠性。相比外置二极管方案，内部集成的设计还能有效避免反向恢复问题，减少尖峰电压对器件的冲击。
　　UM6K31NTN具备完善的保护机制。其内部设有欠压锁定（UVLO）功能，当VDD电源电压低于设定阈值时，所有输出将被强制关闭，防止因驱动电压不足导致的MOSFET非饱和导通而引发过热或损坏。此外，芯片内部还集成了互锁延时逻辑（dead-time control），即使输入信号出现重叠，也能自动插入死区时间，杜绝同一桥臂上下管同时导通的可能性，从而避免“击穿”现象发生，极大提升了功率系统的安全性。
　　该器件具有出色的电气隔离性能，高边驱动可承受高达600V的浮动电压，适用于高压母线应用场合。其输出级采用图腾柱结构，具备快速充放电能力，可高效地对MOSFET栅极电容进行充放电，显著降低开关损耗，提高系统效率。此外，UM6K31NTN具备良好的温度稳定性，可在-40°C至+125°C的宽温范围内正常工作，满足工业级和部分汽车级应用要求。
　　综上所述，UM6K31NTN以其高度集成化、高可靠性、强抗干扰能力和灵活的接口设计，成为现代电力电子系统中理想的栅极驱动解决方案之一。无论是中小功率变频器、伺服驱动器还是太阳能逆变器，都能从中获得优异的性能表现和系统稳定性。

UM6K31NTN主要用于需要驱动多个功率MOSFET或IGBT的高效率电力电子系统中。典型应用包括三相无刷直流电机（BLDC）驱动器、永磁同步电机（PMSM）控制器、光伏逆变器、UPS不间断电源、开关模式电源（SMPS）、电动工具控制器、电动车电驱模块以及工业变频器等。在这些系统中，它负责接收来自MCU或专用PWM控制器的低电平逻辑信号，并将其转换为足以驱动高功率开关器件的高电流栅极驱动信号。
　　在电机控制系统中，UM6K31NTN常与微控制器配合使用，执行六步换向或FOC（磁场定向控制）算法中的功率级驱动任务。其三组半桥输出结构正好匹配三相桥式拓扑，能够精确控制每个桥臂的通断时序，实现平滑调速和高效能量转换。由于支持高边自举运行，该芯片特别适用于成本敏感且空间受限的应用场景。
　　在太阳能微型逆变器或储能系统中，UM6K31NTN可用于构建全桥或三相逆变电路，将直流电高效转化为交流电并入电网。其快速响应特性和低传播延迟有助于提升逆变器的整体动态性能和转换效率。此外，其良好的抗dv/dt干扰能力使其在高压、高频切换环境下仍能保持稳定工作，避免误触发导致系统故障。
　　在工业自动化设备如伺服驱动器和PLC功率模块中，UM6K31NTN因其高可靠性和宽温工作范围而受到青睐。它可以长期运行在高温、高湿、强电磁干扰的恶劣环境中，保障设备连续稳定运行。此外，该芯片也可用于智能家电中的压缩机驱动、风扇控制等场合，助力产品实现节能降耗和智能化升级。

IR2136
　　IRS2136D
　　FAN7891
　　L6387E