时间：2025/11/8 2:22:56
阅读：7
UM6K1NFSATN是一款由UnitedSiC（现已被Qorvo收购）生产的高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温环境下的电力电子应用而设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具有出色的开关性能和热稳定性，适用于各种严苛的工作条件。与传统的硅基二极管相比，UM6K1NFSATN在反向恢复特性、导通损耗和耐温能力方面均有显著提升，能够有效提高系统的整体能效并减小散热需求。该二极管通常用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、不间断电源（UPS）以及各类高频DC-AC和DC-DC转换器中。其封装形式为TO-252（DPAK），便于在标准PCB上进行焊接和散热管理，同时具备良好的机械强度和可靠性。UM6K1NFSATN的额定电压为650V，平均正向电流可达1A，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，是现代高效电源系统中的理想选择。
型号：UM6K1NFSATN
制造商：UnitedSiC (Qorvo)
产品类型：碳化硅肖特基二极管
重复峰值反向电压（VRRM）：650V
平均正向整流电流（IF(AV)）：1A
非重复峰值正向电流（IFSM）：50A
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
正向电压（VF）：典型值1.35V @ 1A, 25°C
反向漏电流（IR）：最大值200μA @ 650V, 25°C；高温下有所增加
反向恢复时间（trr）：≤ 15ns
封装类型：TO-252 (DPAK)
安装方式：表面贴装/通孔兼容
UM6K1NFSATN所采用的碳化硅（SiC）半导体材料赋予了其卓越的电学和热学性能，使其在众多电力电子应用中表现出色。首先，该器件具有极低的反向恢复电荷（Qrr）和几乎无反向恢复电流的特性，这意味着在高频开关操作中不会产生明显的反向恢复损耗，从而大幅提升了系统的转换效率，并减少了电磁干扰（EMI）问题。这一特性尤其适用于高频PWM控制的电源拓扑结构，如图腾柱PFC电路和LLC谐振变换器。其次，其正向压降（VF）虽然略高于某些超快恢复硅二极管，但在高温工作条件下仍能保持相对稳定，不会像传统硅器件那样出现显著上升，从而确保系统在满载或高温运行时依然可靠。
此外，UM6K1NFSATN拥有高达+175°C的最大工作结温，远高于普通硅二极管的150°C上限，这使得它能够在恶劣的热环境中长期稳定运行，降低了对复杂散热系统的需求，有助于实现更紧凑的设计。其低温度依赖性的电气参数也保证了在宽温度范围内的一致性能表现。TO-252封装不仅提供了良好的热传导路径，还支持自动化贴片生产，提高了制造效率和一致性。该器件无需外部缓冲电路即可承受较高的dv/dt应力，进一步简化了电路设计。综合来看，UM6K1NFSATN凭借其优异的动态特性、高温稳定性、高可靠性及易于集成的特点，成为现代高功率密度电源系统中不可或缺的关键元件。
UM6K1NFSATN广泛应用于需要高效、高频和高可靠性的电力电子系统中。典型应用场景包括工业级开关电源（SMPS），特别是在主动式功率因数校正（PFC）电路中作为升压二极管使用，可显著降低开关损耗并提升系统效率。在太阳能光伏逆变器中，该器件用于直流侧的防反接和能量回馈路径，利用其快速响应和低漏电特性来优化发电效率。在电动汽车（EV）和充电桩领域，UM6K1NFSATN可用于车载充电机（OBC）和直流快充模块中的整流单元，适应宽输入电压范围和频繁启停的工作模式。
此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、服务器电源、电信整流器以及LED驱动电源等高端电源设备。在电机驱动系统中，常被用作续流二极管以保护IGBT或MOSFET免受感性负载反电动势冲击。由于其出色的高温耐受能力和长期稳定性，UM6K1NFSATN特别适合部署在密闭空间或自然冷却条件下运行的设备中。随着碳化硅技术的普及，越来越多追求小型化、轻量化和高能效的产品开始选用此类先进器件以满足日益严格的能源标准和环保要求。
UFS1M6K1N FS
