类型：高压半桥栅极驱动器
　　通道数：1（双输出：高边+低边）
　　最大耐压（VS）：650 V
　　电源电压范围（VDD）：10 V 至 20 V
　　逻辑输入电压兼容性：3.3 V / 5 V CMOS/TTL 兼容
　　峰值输出电流：+1.2 A / -1.2 A
　　驱动能力：拉电流/灌电流各1.2A
　　传播延迟时间：典型值 180 ns
　　上升时间（tr）：典型值 45 ns（1000 pF负载）
　　下降时间（tf）：典型值 35 ns（1000 pF负载）
　　死区时间（互锁时间）：典型值 400 ns
　　输入反相功能：支持非反相与反相配置
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP8 / DIP8

UM6K1N的核心特性之一是其高压电平位移技术，使其能够在高边浮动电源供电下正常工作，最高可承受650V的母线电压，从而适用于各种中等功率的桥式电路应用场景。该芯片采用了先进的BCD工艺制造，结合了模拟控制精度与功率处理能力的优势，确保在高频开关条件下仍能保持稳定的驱动性能。其输入端具有施密特触发器设计，显著提升了抗电磁干扰（EMI）能力，尤其适合在工业环境或存在强噪声源的系统中使用。当输入信号发生快速跳变时，芯片内部的互锁逻辑会自动插入适当的死区时间（约400ns），避免高边与低边同时导通造成的“穿通电流”，从而保护后级功率管不受损害。
　　另一个关键特性是其宽范围的工作电源电压（10V~20V），允许用户灵活选择外部驱动电源设计，同时保证输出驱动强度足够驱动多个并联的MOSFET栅极。芯片内部集成了独立的高边和低边偏置电源调节电路，确保在不同负载条件下的电压稳定性。此外，UM6K1N具备完善的欠压锁定（UVLO）保护功能，分别对高边和低边电源进行监测，只有当两个电源均达到阈值电压以上时才会允许输出响应，防止因供电不足而导致的误动作或弱驱动状态。
　　该器件还优化了传输延迟匹配性，高低边之间的传播延迟差异极小，有助于提高PWM控制精度，特别适用于需要精确占空比控制的应用场合。在热设计方面，UM6K1N通过低静态电流（典型值1.5mA）和高效的内部电路结构降低了自身功耗，减少了对外部散热措施的需求。整体来看，UM6K1N以其高集成度、高可靠性和良好的兼容性，成为替代传统分立式驱动方案的理想选择，尤其适合用于紧凑型高效率电源系统的设计。

UM6K1N广泛应用于各类需要驱动高压半桥结构的电力电子设备中。在交流-直流或直流-交流转换系统中，如在线式UPS不间断电源和太阳能光伏逆变器，它被用来驱动H桥中的MOSFET或IGBT模块，实现高效的能量转换与波形合成。由于其具备高耐压能力和良好的噪声抑制性能，也常用于感应加热设备，例如电磁炉、小型金属熔炼装置等，这些应用通常要求驱动器能在高温、高压且强干扰的环境中长期稳定运行。
　　在电机控制领域，UM6K1N可用于无刷直流电机（BLDC）或永磁同步电机（PMSM）的三相逆变驱动板中，作为每一相桥臂的驱动核心，配合主控MCU输出的PWM信号完成精确的速度与转矩控制。此外，在电动工具、电动自行车控制器以及小型家用电器的变频控制系统中，该芯片同样表现出优异的适应性。
　　在开关电源拓扑中，特别是LLC谐振变换器、有源钳位反激（ACF）或图腾柱PFC电路中，UM6K1N可用于驱动高频工作的功率开关，提供快速、可靠的栅极驱动信号。其TTL/CMOS兼容输入接口使其能够无缝对接各种数字控制器（如DSP、ARM或专用PWM IC），简化系统设计流程。此外，由于其封装小巧且无需外加隔离元件（在非隔离系统中），非常适合于空间受限但要求高性能的嵌入式电源模块设计。

IR2110S
　　IRS21844
　　UCC27531
　　HCPL-J312