时间：2025/10/8 10:59:13
阅读：7
ULV2G3R9MNL1GS 是由三星（Samsung）生产的一款基于V-NAND技术的固态硬盘（SSD）控制器与NAND闪存组合的嵌入式存储解决方案，通常用于移动设备如智能手机、平板电脑以及超薄笔记本等对功耗和体积要求较高的场景。该型号属于eMMC（embedded MultiMediaCard）或UFS（Universal Flash Storage）类别的一种高密度、低功耗存储器件，广泛应用于嵌入式系统中作为主存储介质。根据命名规则分析，'ULV'可能代表超低电压（Ultra Low Voltage），'2G'表示产品系列或容量等级，'3R9'可能指代工艺节点或内部架构版本，'MNL'常用于标识多层封装（MCP）或特定封装形式，'1GS'则可能表示容量为128GB或具有特定固件配置。此器件集成了控制器、缓存和NAND闪存颗粒，具备良好的读写性能和稳定性，支持高速数据传输协议，并优化了待机和运行时的能耗表现，适合电池供电设备长期使用。
类型：嵌入式存储（eMMC或UFS）
制造商：Samsung（三星）
接口标准：UFS 2.1 或 eMMC 5.1（具体需查证）
容量：128GB（典型值）
工作电压：1.8V / 1.2V（双电压模式，支持低功耗）
封装形式：BGA 封装（具体尺寸依规格书）
温度范围：商业级 / 工业级（0°C 至 +70°C 或 -25°C 至 +85°C）
读取速度：最高可达 850MB/s（顺序）
写入速度：最高可达 250MB/s（顺序）
NAND 类型：3D V-NAND TLC
平均无故障时间（MTBF）：>1,000,000 小时
ULV2G3R9MNL1GS 具备先进的低功耗设计，专为移动和便携式设备打造，其核心优势在于高集成度与能效比的完美平衡。该器件采用三星领先的3D V-NAND技术，通过堆叠多层存储单元实现高密度存储的同时，显著提升了数据耐久性和读写效率。相比传统平面NAND，V-NAND减少了单元间干扰，降低了出错率，延长了使用寿命。此外，内置智能控制器支持动态磨损均衡、坏块管理、ECC纠错算法（高达数十位/千字节）、TRIM命令和垃圾回收机制，确保长时间使用后仍保持稳定性能。在安全性方面，支持硬件级加密功能，可实现AES-256等数据保护标准，防止敏感信息泄露。ULV2G3R9MNL1GS 还具备出色的环境适应性，在宽温范围内保持可靠运行，适用于各种复杂应用场景。其超低电压设计（ULV）有效降低系统整体功耗，尤其在待机和轻负载状态下表现优异，有助于延长终端设备的电池续航时间。同时，该芯片符合RoHS环保标准，支持绿色环保制造流程。得益于高度集成的一体化封装，ULV2G3R9MNL1GS 减少了PCB占用面积，简化了主板布线难度，提高了系统设计灵活性。它还兼容主流操作系统和启动协议，支持快速开机和应用程序即时响应，提升用户体验。该器件经过严格的质量测试，具备高抗振性和长期数据保持能力，即使在断电情况下也能保证数年以上的数据完整性。综合来看，ULV2G3R9MNL1GS 是一款面向高端移动市场的高性能、高可靠性嵌入式存储解决方案。
主要用于智能手机、平板电脑、超极本、二合一设备、车载信息娱乐系统、工业控制终端、物联网网关及其他需要高密度、低功耗嵌入式存储的电子产品。适用于需要快速启动、大容量数据存储和长时间稳定运行的应用场景。也常见于消费类电子产品的批量生产中，作为主存储单元搭载于Android系统设备或嵌入式Linux平台。此外，由于其良好的温度适应性和抗干扰能力，也可部署于边缘计算设备和便携式医疗仪器中。
KLUDG4U7EB-B0C1
KLUFG8U7EB-B0C1
MTFC1T1GSTFK
