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ULTVSV65VCES-02JGP 发布时间 时间:2025/6/28 20:30:09 查看 阅读:6

ULTVSV65VCES-02JGP是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、电机驱动、逆变器等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  该型号属于 Vishay 公司的 ULTRA 系列功率 MOSFET,设计用于承受高电压和大电流的工作条件。其封装形式为 TO-252 (DPAK),支持表面贴装技术 (SMT),便于自动化生产和紧凑型设计。

参数

最大漏源电压:65V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻:1.7mΩ
  栅极电荷:48nC
  总电容:1140pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够减少导通损耗并提高系统效率。
  2. 高开关速度,适合高频应用环境。
  3. 强大的热性能,能够在高温条件下稳定运行。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  5. 提供出色的 ESD(静电放电)保护能力,增强器件的抗干扰性。
  6. 支持表面贴装封装,便于现代化生产流程中的高效组装。
  7. 广泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的使用需求。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
  2. 电机驱动和控制电路
  3. 逆变器和 UPS 系统
  4. 汽车电子和工业控制
  5. LED 驱动器和电池管理
  6. 通信设备中的电源模块
  7. 各种需要高效率和高可靠性的功率转换场景

替代型号

IRF540N
  FDP15U65A
  STP10NK60Z
  IXFK40N65T
  AO3400A

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