类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：1050 V
　　连续漏极电流（Id at 25°C）：2.3 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：9.2 A
　　导通电阻Rds(on)：典型值1.0 Ω，最大值1.25 Ω（@ Vgs = 10 V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V 至 3.5 V
　　栅极电荷（Qg）：典型值17 nC（@ Vds = 800 V, Id = 2.3 A）
　　输入电容（Ciss）：典型值45 pF
　　输出电容（Coss）：典型值17 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值26 ns
　　二极管正向电压（Vf）：约1.6 V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6 (4引脚)
　　极性：N-Channel
　　击穿电压（BVDSS）：1050 V

ULT2G100MNL1GS采用了STMicroelectronics独有的MDmesh? V代超结技术，这种结构通过交替排列的P型和N型柱状区域来实现更高的掺杂密度，在不牺牲击穿电压的前提下大幅降低Rds(on)。这使得器件在高压应用中仍能保持出色的导通性能，有效减少传导损耗，提高系统能效。其典型的Rds(on)仅为1.0Ω，对于一个额定电压高达1050V的MOSFET而言，这一指标处于行业领先水平。
　　该器件最显著的特点之一是极低的栅极电荷（Qg），典型值仅为17nC。低Qg意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而降低了控制器的驱动负担并减少了开关过程中的动态损耗。这对于诸如LLC谐振变换器、反激式电源和PFC电路等高频拓扑尤为重要，有助于实现更高的开关频率，进而减小磁性元件体积，提升功率密度。
　　此外，ULT2G100MNL1GS具备优异的电容特性，输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）分别仅为45pF和17pF，这不仅有助于减少开关延迟，还提升了器件在高频下的响应能力。同时，较低的输出电容也有利于降低关断时的能量损耗（Eoss），进一步提升效率。
　　在可靠性方面，该MOSFET经过优化设计，具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下安全运行。其内置体二极管具有较快的反向恢复时间（trr ≈ 26ns），减少了反向恢复电荷（Qrr），从而降低了在硬开关应用中产生的尖峰电压和电磁干扰（EMI）。
　　PowerFLAT 5x6封装不仅提供了良好的散热性能，还支持自动化贴装工艺，适用于现代化SMT生产线。相比传统的TO-220或DPAK封装，该封装更加紧凑，有利于实现小型化设计。此外，该器件符合AEC-Q101汽车级认证的部分要求，表明其在质量和可靠性上达到了较高标准，可广泛应用于工业与轻度车载环境中。

ULT2G100MNL1GS广泛应用于各种高电压、高效率的开关电源系统中。典型应用场景包括离线式AC-DC电源适配器、LED照明驱动电源、光伏逆变器中的DC-DC升压级以及工业用辅助电源模块。由于其1050V的高击穿电压，特别适用于全球通用输入电压（85–265V AC）条件下的主开关管或PFC升压开关管设计，能够提供足够的电压裕量以应对电网波动和瞬态浪涌。
　　在PFC（功率因数校正）电路中，尤其是临界导通模式（CrM）或连续导通模式（CCM）PFC拓扑中，该器件凭借低Rds(on)和低Qg的优势，可以在保持高效率的同时减少散热需求，简化热管理设计。其快速的开关特性和低Coss也使其适用于LLC半桥谐振转换器中的初级侧开关，有助于实现零电压切换（ZVS），进一步降低开关损耗。
　　此外，该器件也适用于高压DC-DC转换器、电信整流器、UPS不间断电源系统以及工业电机控制中的隔离电源部分。在LED路灯驱动电源中，常用于单级或多级架构中的高压侧开关，确保长时间稳定运行。由于其封装小巧且热性能良好，也可用于空间受限但要求高可靠性的嵌入式电源系统。

STL2G100MNL1F
　　STL2G100MNL1TF
　　ULT2G100MNT4