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ULN2001G-S08-R 发布时间 时间:2025/6/21 3:47:39 查看 阅读:6

ULN2001G-S08-R 是一种达林顿晶体管阵列集成电路,由七个NPN型硅达林顿晶体管组成。它主要用于驱动继电器、螺线管、小型直流电机等高电流负载设备。这种芯片具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗,能够在工业控制和消费电子领域广泛应用。其封装形式为SOP-16,适合表面贴装技术(SMT)使用。
  该器件通过集成多个达林顿对来增强电流放大能力,同时内置钳位二极管以保护电路免受感性负载产生的反向电动势影响。

参数

集电极电流(最大值):500mA
  漏电流(最大值):100nA
  功耗:400mW
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  输入电压范围:0V 至 5V
  集电极-发射极击穿电压:50V

特性

ULN2001G-S08-R 的主要特性包括:
  1. 内置钳位二极管用于吸收感性负载的反向电动势,从而提高系统可靠性。
  2. 达林顿晶体管结构提供高增益和大电流驱动能力。
  3. 能够兼容TTL和CMOS逻辑电平输入,便于与其他数字电路配合使用。
  4. SOP-16封装设计使其适配于自动化表面安装工艺。
  5. 每一路输出均独立操作,支持最多七路负载的同时驱动。
  6. 具备较高的电气隔离性能,适用于多种复杂环境下的应用需求。

应用

ULN2001G-S08-R 广泛应用于以下领域:
  1. 继电器、步进电机和直流电机的驱动控制。
  2. LED显示屏驱动及照明控制。
  3. 各种家用电器中用作开关或接口电路。
  4. 工业自动化设备中的传感器信号处理与执行机构驱动。
  5. 通信设备中辅助电源管理及信号转换。
  6. 汽车电子系统内的低功率驱动组件。

替代型号

ULN2001A, ULN2002A, ULN2003A

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