时间：2025/5/7 13:03:28
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ULC0511CBP是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种需要高效能和紧凑设计的电子设备。
ULC0511CBP采用小型封装（如SOT-23），非常适合空间受限的应用场景。其主要特点是能够提供较低的漏源极导通电阻（Rds(on)），从而减少功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻：0.95Ω
总功耗：420mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻设计，有助于降低功率损耗。
2. 高开关速度，适合高频应用环境。
3. 小型化封装，便于在紧凑型设计中使用。
4. 优异的热稳定性，可在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 具备良好的静电防护能力，增强了器件的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业规范要求。
1. 开关电源中的同步整流。
2. 消费类电子产品中的负载开关控制。
3. 便携式设备中的电池管理电路。
4. LED驱动器中的开关元件。
5. 各种低功率电机驱动应用。
6. 通信设备中的信号路径切换。
AO3400
IRLML6401
FDC6501
SI2303DS
BSS138
