UL52B 时间：2025/12/27 9:14:31 阅读：21

UL52B是一款由上海陆芯电子科技有限公司推出的中压平面型硅基MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），主要面向电源转换、电机驱动及功率开关等应用领域。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具备优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，在保证较高效率的同时，也具备良好的可靠性和热稳定性。UL52B的额定电压为520V，适用于通用开关电源（SMPS）、LED照明电源、适配器、充电器以及工业控制类设备中的功率处理环节。其封装形式通常为TO-220或TO-220F，便于安装于散热片上，提升长期运行的稳定性。该产品在设计上注重抗雪崩能力和抗浪涌电流能力，能够在瞬态负载和异常工况下保持稳定工作，适合对系统鲁棒性有要求的应用场景。此外，UL52B还优化了动态参数，降低开关损耗，有助于提高整体电源系统的能效水平，符合当前绿色节能的发展趋势。

参数

型号：UL52B
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：520V
　　连续漏极电流（Id）：17A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：68A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.26Ω @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.32Ω @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：35nC @ Vds=400V, Id=8.5A
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　最大功耗（Pd）：125W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

特性

UL52B具有优异的电气性能和可靠性，其核心优势体现在多个方面。首先，该MOSFET采用了优化的平面结构设计，使得在高电压耐受能力（520V）的前提下仍能实现较低的导通电阻（典型值0.26Ω），有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率。这一特性特别适用于中等功率范围内的开关电源设计，如60W至300W的AC-DC转换器，能够显著减少发热，延长设备寿命。
　　其次，UL52B具备良好的动态特性。其栅极电荷（Qg）仅为35nC，在同类产品中处于较低水平，这意味着驱动电路所需提供的能量更少，驱动损耗更低，有利于简化驱动设计并提升整体能效。同时，输入电容（Ciss）为1100pF，配合合理的驱动阻抗，可实现快速开关动作，减少开关过程中的交越损耗。这对于高频工作的电源拓扑（如反激式、正激式、LLC谐振变换器）尤为重要。
　　再者，该器件具备较强的抗冲击能力。其脉冲漏极电流可达68A，表明其在短时过载或启动浪涌条件下具备良好的承受能力。此外，反向恢复时间（trr）为45ns，配合体二极管使用时能有效抑制电压尖峰，降低电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。UL52B还通过了严格的雪崩测试，具备一定的非钳位感性开关（UIS）耐受能力，增强了在电机驱动或感性负载切换场景下的安全性。
　　最后，UL52B的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛环境条件。其125W的最大功耗配合TO-220封装，可通过外接散热片实现高效散热，满足长时间满负荷运行需求。综合来看，UL52B是一款性能均衡、可靠性高的中压MOSFET，适用于工业、消费类及照明等多种应用场景。

应用

UL52B广泛应用于多种中等功率电力电子系统中。典型应用包括通用开关电源（SMPS），如手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD显示器电源模块等，其高耐压和低导通电阻特性有助于提高转换效率并减小体积。在LED照明驱动电源中，UL52B常用于隔离式反激拓扑的主开关管位置，支持宽输入电压范围和高能效要求。此外，该器件也适用于工业电机控制、小型逆变器、UPS不间断电源、家电控制板中的继电器或电磁阀驱动电路。由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，UL52B也可用于环境较为恶劣的工业现场设备中。