电容：3.3μF
　　额定电压：2.5V
　　介电材料：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　电容容差：±20%
　　封装尺寸：0603（1608 公制）
　　长度：1.6mm ±0.15mm
　　宽度：0.8mm ±0.15mm
　　厚度：最大 1.05mm
　　端接类型：镍阻挡层 / 锡镀层
　　耐湿性：符合IEC 61249-2-21标准
　　绝缘电阻：≥50MΩ 或 ≥500Ω·μF（取较大值）
　　损耗因数（DF）：≤2.5%
　　温度特性：X5R（±15% @ -55°C ~ +85°C）
　　直流偏压特性：在2.5V偏压下，电容值下降约40%-60%（典型值）
　　老化率：≤2.5%每十年（在+20°C下）
　　ESR（等效串联电阻）：典型值在10mΩ~20mΩ范围（频率依赖）
　　自谐振频率（SRF）：约50MHz（取决于PCB布局）

UKL2A3R3MDD采用先进的叠层陶瓷制造工艺，内部由数十甚至上百层交替的陶瓷介质与内电极构成，从而在微小尺寸下实现较高的电容值。其X5R介电材料在较宽的温度范围内保持稳定的电气性能，虽然不如C0G/NP0材质那样零温度系数，但相较于Y5V等材料，X5R在温度稳定性和电容密度之间取得了良好平衡。该电容器的一个显著特点是其在直流偏压下的电容衰减特性。由于高介电常数的铁电材料（如钡钛酸盐）在施加电压时会发生晶格极化饱和，导致实际可用电容远低于标称值。例如，在施加2.5V电压时，UKL2A3R3MDD的实际电容可能仅保留原始值的40%~60%，因此在电源去耦设计中必须考虑此因素。
　　该器件的0603封装使其非常适合高密度印刷电路板（PCB）布局，尤其适用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备等对空间敏感的产品。其端电极为三层结构（铜-镍-锡），提供良好的可焊性和抗机械应力能力，能够承受多次回流焊过程而不损坏。此外，该电容器具备优异的抗热冲击性能，在快速温度变化下不易产生裂纹，提高了系统可靠性。
　　在高频性能方面，UKL2A3R3MDD具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提升电源完整性，减少电压纹波。然而，由于其较大的电容值和较小的封装，自谐振频率相对较低，通常在几十兆赫兹范围内，因此更适合用于中低频滤波而非射频旁路。制造商建议在PCB布局时尽量缩短走线长度，并采用对称焊盘设计以减少寄生电感。
　　该电容器还具备良好的长期稳定性，电容值随时间的老化过程缓慢，主要源于铁电材料的自发极化弛豫。通过适当的存储和使用条件，可以最大限度地减缓老化速率。此外，产品符合无铅焊接工艺要求，适用于现代环保电子产品制造流程。

UKL2A3R3MDD广泛应用于各类需要小型化、高性能陶瓷电容器的电子设备中。最常见的应用场景是作为电源去耦电容器，用于集成电路（IC）的供电引脚附近，以滤除电源噪声、抑制电压波动并提供瞬态电流支持。例如，在处理器、GPU、FPGA和ASIC等数字芯片的电源网络中，该电容器常与更小容值的高频去耦电容（如0.1μF）并联使用，形成多级滤波网络，有效覆盖从低频到中频的噪声频段。
　　在移动通信设备中，如智能手机和平板电脑，UKL2A3R3MDD被大量用于基带处理器、射频前端模块和电源管理单元（PMU）的旁路电路。其小尺寸和适中的电容值使其成为紧凑型主板设计的理想选择。此外，在DC-DC转换器和低压差稳压器（LDO）的输入输出滤波电路中，该电容器可用于平滑电压输出，提高电源效率和稳定性。
　　在消费类电子产品如蓝牙耳机、智能手表和物联网（IoT）设备中，由于空间极其有限，UKL2A3R3MDD的高电容密度优势尤为突出。它可在不增加PCB面积的前提下提供必要的储能能力，支持设备在突发负载下的稳定运行。此外，该电容器也适用于便携式医疗设备、传感器模块和嵌入式控制器等对可靠性和尺寸有严格要求的应用场景。
　　需要注意的是，由于其电容值在直流偏压下会显著下降，设计人员在选型时应参考制造商提供的直流偏压特性曲线，确保在实际工作电压下仍能满足最小去耦电容要求。同时，应避免将其用于需要精确电容值的定时或振荡电路中，因其温度和电压依赖性较强。

GRM188R71E336KA12
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