时间：2025/10/6 21:11:48
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UKL1J681MHD是一款由松下（Panasonic）公司生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高性能、高稳定性的表面贴装电容器，广泛应用于各类电子设备中。其标称电容值为680pF（即681表示68×101 pF），额定电压为63V DC（字母"J"代表耐压等级为63V），电容公差为±20%（M代表±20%），适用于需要稳定电容性能和较高耐压能力的电路设计。该型号采用EIA标准尺寸封装，通常为0805（2012公制）或相近尺寸，适合自动化贴片生产流程。UKL系列电容器采用先进的陶瓷介质材料与内部电极结构设计，具备低等效串联电阻（ESR）、低损耗角正切（tanδ）以及良好的温度稳定性，能够在较宽的环境温度范围内可靠工作。此外，该产品符合RoHS环保要求，无铅且兼容现代无铅回流焊工艺。由于其优异的电气性能和机械可靠性，UKL1J681MHD被广泛用于电源管理、信号耦合、去耦、滤波以及高频模拟电路中。
电容值：680pF
容差：±20%
额定电压：63V DC
温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%）
封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
安装类型：表面贴装（SMD）
等效串联电阻（ESR）：典型值低于100mΩ（频率依赖）
绝缘电阻：≥1000MΩ 或 ≥100S（时间常数）
使用寿命：在额定电压和最高工作温度下可稳定运行1000小时以上
UKL1J681MHD电容器采用X7R类陶瓷介质，具有良好的温度稳定性，在-55°C到+125°C的宽温范围内，电容值的变化控制在±15%以内，适用于对温度敏感的应用场景。其电容值为680pF，处于中低电容范围，适合用于去耦、旁路和中频滤波电路中。该器件具备较高的直流耐压能力（63V），使其能够在电源轨去耦或高压信号路径中安全使用，避免因电压波动导致击穿或性能下降。X7R材质相较于Z5U或Y5V等类别，在老化特性和频率响应方面表现更优，长期使用过程中电容值衰减较小，确保系统长期运行的稳定性。
该电容器采用多层结构设计，通过交替堆叠陶瓷介质与内电极（通常为镍或铜）形成高密度电容体，在有限体积内实现较高的电容量。这种结构还带来了极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提升其在高频下的阻抗特性，增强去耦效率，尤其在数字IC的电源引脚附近使用时能有效抑制噪声和电压尖峰。此外，其表面贴装封装形式（如0805）便于自动化贴片组装，提高了生产效率并降低了制造成本。
UKL1J681MHD符合AEC-Q200汽车级可靠性标准的部分要求（视具体批次而定），具备良好的抗湿性、抗热冲击能力和机械强度，能够承受多次回流焊过程而不损坏。产品经过严格的出厂测试，包括耐电压测试、电容值分选、绝缘电阻测量等，确保每批产品的质量一致性。同时，该器件无铅、无卤素，满足RoHS和REACH环保指令要求，适用于消费电子、工业控制、通信设备及车载电子等多种领域。
UKL1J681MHD因其稳定的电气性能和较高的耐压能力，被广泛应用于多种电子电路中。在电源管理系统中，常用于DC-DC转换器的输入/输出端进行滤波和去耦，以平滑电压波动并减少高频噪声对下游电路的影响。在模拟信号处理电路中，该电容器可用于耦合与隔直，特别是在中频放大器或传感器接口电路中，能够有效传递交流信号同时阻断直流偏置。此外，在高速数字系统中，如微处理器、FPGA或ASIC的供电网络中，该器件可作为局部去耦电容，放置于芯片电源引脚附近，用以吸收瞬态电流需求，维持电源完整性，防止因电源反弹引起的逻辑错误。
在通信设备中，UKL1J681MHD可用于射频前端模块中的匹配网络或滤波电路，虽然其非C0G/NP0材质限制了在极高Q值电路中的使用，但在一般中频段仍可胜任。工业控制板、医疗电子设备以及消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、智能家居控制器）也普遍采用此类电容器进行信号调理和电源净化。由于其工作温度范围宽，也可用于部分汽车电子应用，例如车身控制模块、车载信息娱乐系统或辅助驾驶系统的非关键电路中。此外，测试测量仪器、数据采集系统等对长期稳定性有一定要求的设备也会选用该型号以保证信号链的可靠性。
GRM21BR71H681KA01L
CL21B681KBANNNC
C2012X7R1H681K
