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UKL1E100MDD 发布时间 时间:2025/10/6 19:03:44 查看 阅读:14

UKL1E100MDD是KEMET公司生产的一款小型化、高性能的多层陶瓷电容器(MLCC),广泛应用于各类电子设备中,特别是在需要高稳定性和低损耗的电路设计中表现优异。该器件采用X7R介电材料,具有良好的温度稳定性,能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值的变化在±15%以内,适合在恶劣环境条件下工作。其标称电容值为10μF,额定电压为25V DC,属于EIA 1210封装尺寸(3.2mm x 2.5mm x 1.55mm),便于在空间受限的PCB布局中使用。该电容器采用端接结构为镍/锡(Ni/Sn)电极,具备良好的可焊性和长期可靠性,符合RoHS和REACH环保标准,并且不含铅,适用于无铅焊接工艺。UKL1E100MDD常用于去耦、滤波、旁路和储能等应用场景,在电源管理单元、DC-DC转换器、工业控制设备以及消费类电子产品中均有广泛应用。由于其高体积效率和稳定的电气性能,该型号在替代传统钽电容或铝电解电容方面也具有一定优势,尤其是在抑制电磁干扰和提升系统稳定性方面表现出色。

参数

电容值:10μF
  额定电压:25V DC
  介电材料:X7R
  温度特性:-55°C 至 +125°C,±15%
  封装尺寸:EIA 1210(3.2mm x 2.5mm x 1.55mm)
  电极材料:Ni/Sn(镍/锡)
  安装类型:表面贴装(SMD)
  容差:±20%
  最大厚度:1.55mm
  工作温度范围:-55°C ~ +125°C
  直流偏压特性:随电压增加电容值有所下降,典型值在16V时约为标称值的70%
  绝缘电阻:≥1000MΩ 或 时间常数 ≥100S(取较大者)
  使用寿命:在额定电压和最高工作温度下可稳定运行至少1000小时

特性

UKL1E100MDD采用先进的多层陶瓷制造工艺,确保了在高温、高湿及机械应力环境下仍能维持可靠的电气性能。其X7R介电材料提供了优于Z5U和Y5V等材料的温度稳定性,使得电容值在极端温度变化下仍能保持相对恒定,这对于精密模拟电路和电源反馈回路至关重要。该器件具有极低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),从而有效提升高频去耦能力,减少电源噪声对敏感电路的影响。此外,由于其结构致密且无极性,不会像电解电容那样发生干涸或极性接反导致失效的问题,因此寿命更长、维护成本更低。在实际应用中,该电容器能够承受多次热循环和回流焊过程而不损坏,具备出色的抗热冲击能力。其端电极经过特殊处理,增强了与PCB焊盘之间的结合力,防止因振动或热膨胀引起的开裂或脱落。值得注意的是,尽管该型号标称为10μF,但在接近额定电压工作时会出现明显的直流偏压效应,即实际可用电容会显著降低,因此在设计时需参考厂商提供的DC偏压曲线进行降额使用。
  为了满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求,UKL1E100MDD在保持较大容量的同时实现了紧凑的1210封装,相较于传统的电解电容节省了大量板级空间。同时,该器件具有优异的耐湿性,符合IEC 60068-1规定的湿度等级要求,可在高湿度环境中长期稳定运行。其低老化率特性也保证了电容值不会随时间显著衰减,提升了系统的长期稳定性。在电磁兼容性(EMC)方面,该电容器能有效滤除高频噪声,提高整个系统的抗干扰能力。综合来看,UKL1E100MDD是一款兼顾性能、可靠性和环保要求的高端MLCC产品,特别适用于对空间和稳定性要求较高的工业、通信和汽车电子领域。

应用

该器件广泛应用于各类需要稳定电容值和高可靠性的电子系统中。在电源管理系统中,常用于DC-DC转换器的输入和输出滤波,以平滑电压波动并抑制开关噪声。在FPGA、ASIC、微处理器等数字芯片的供电引脚附近,作为去耦电容使用,可有效降低瞬态电流引起的电源轨扰动,保障逻辑电路正常运行。在工业自动化设备中,如PLC控制器、传感器信号调理模块,该电容用于电源稳压和噪声滤波,提升系统抗干扰能力。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中,因其小型化和高效能特点,被广泛用于主板上的多路电源轨滤波。此外,在汽车电子系统中,包括车载信息娱乐系统、ADAS模块和车身控制单元,该电容器也能在宽温环境下提供稳定的电性能。在通信基础设施中,如基站电源模块和光模块供电电路,UKL1E100MDD可用于高频旁路和储能应用。由于其无磁特性,也可用于医疗电子设备中,避免对敏感测量造成干扰。总之,凡是在高温、高可靠性要求或空间受限场景下需要大容量陶瓷电容的应用,UKL1E100MDD都是一个理想选择。

替代型号

C3216X7R1E106K

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