类型：SiC肖特基二极管
　　配置：单芯片
　　最大重复反向电压（VRRM）：650V
　　最大平均正向电流（IF(AV)）：4A
　　峰值非重复正向浪涌电流（IFSM）：50A（半正弦波，8.3ms）
　　最大正向电压降（VF）：1.7V（@ IF = 4A, TJ = 25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：10μA（@ VR = 650V, TJ = 25°C）；500μA（@ VR = 650V, TJ = 150°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TQFN-2L（热增强型）
　　热阻（RθJC）：约1.5°C/W
　　安装方式：表面贴装（SMD）

UK4145G-TQ2-R的核心特性源于其采用的4H-SiC半导体材料体系，这种宽禁带材料具有3倍于硅的击穿电场强度和更高的热导率，使其能够在650V额定电压下实现极低的导通电阻和几乎为零的反向恢复电荷。由于不存在少子存储效应，该二极管在高频开关条件下不会产生反向恢复电流尖峰，从而大幅降低开关节点的电压振铃和功率损耗，提升系统能效。这一特性在连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路中尤为关键，能够显著减少主开关管（如GaN或SiC MOSFET）的关断应力，延长器件寿命。
　　该器件具备出色的温度稳定性，其正向压降随温度上升呈轻微上升趋势，有利于多管并联时的电流均衡。同时，反向漏电流虽随温度升高而增加，但在150°C结温下仍保持在500μA以内，远低于同等规格硅快恢复二极管的水平。其高达175°C的最大工作结温允许在高温环境中运行而无需过度依赖外部散热措施，提升了系统在恶劣工况下的可靠性。
　　TQFN-2L封装采用铜夹片（clip bonding）技术连接芯片与引脚，减少了传统金线键合的寄生电感和电阻，提高了大电流承载能力和机械可靠性。底部集成的热焊盘可直接焊接至PCB的散热区域，实现高效热传导，典型RθJC仅为1.5°C/W，有助于控制结温上升。该封装尺寸紧凑（通常约6mm x 4mm），节省PCB空间，适用于高密度电源模块设计。
　　此外，UK4145G-TQ2-R通过了AEC-Q101汽车级可靠性认证，具备高抗湿性、耐焊接热冲击性和长期稳定性，适合用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器等严苛应用场景。其无卤素（halogen-free）和符合IPC/JEDEC MS-012标准的封装设计也满足现代电子产品对环保和可制造性的要求。

UK4145G-TQ2-R广泛应用于各类高效率电力电子系统中。在工业领域，常用于服务器电源、电信整流器、激光电源和工业电机驱动中的续流与箝位电路。在新能源方面，该器件被大量采用在光伏（PV）微型逆变器和组串式逆变器的升压级中，利用其零反向恢复特性提高MPPT效率并降低热损耗。在电动汽车生态系统中，它适用于车载充电机（OBC）和高压DC-DC转换器，尤其是在双向充放电架构中作为辅助整流元件，确保高频软开关操作的稳定性。
　　在消费类高端电源中，如游戏主机电源、高端台式机ATX电源和适配器，UK4145G-TQ2-R可用于有源钳位反激（ACF）、LLC谐振变换器或图腾柱PFC拓扑中，替代传统超快恢复二极管以提升整体效率，满足80 PLUS Titanium等高能效标准。此外，在不间断电源（UPS）和储能系统（ESS）中，该器件凭借其高可靠性和宽温域表现，成为整流和防倒灌电路的理想选择。
　　得益于其小型化封装和优异的热性能，该二极管也适用于模块化电源设计和分布式供电架构（DPA），在空间受限的应用中提供高功率密度解决方案。科研和测试设备中的高精度电源模块同样受益于其低噪声和稳定电气特性，减少系统纹波和干扰。

UF3C065040KU3S
　　SCT3045KLGE