型号：UK3919G-TN3-R
　　制造商：United Silicon Carbide (UnitedSC)
　　器件类型：碳化硅肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：3A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A（单半波）
　　正向电压降（VF）：典型值1.45V @ 3A, 25°C
　　最大工作结温（TJ）：175°C
　　反向漏电流（IR）：典型值250μA @ 650V, 25°C；最大值5mA @ 650V, 150°C
　　反向恢复时间（trr）：≤25ns（实际接近零恢复特性）
　　封装形式：TO-252 (DPAK) 表面贴装
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　极性：单二极管
　　热阻（RθJC）：约2.5°C/W
　　存储温度范围：-55°C 至 +175°C
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（260°C，无限时间）

UK3919G-TN3-R的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的肖特基势垒结构，这使得它在多个关键性能指标上优于传统的硅基PIN二极管。首先，该器件具备几乎为零的反向恢复电荷（Qrr）和极短的反向恢复时间（trr），这意味着在高频开关操作中不会产生额外的反向恢复损耗，从而大幅提升了系统的整体效率，尤其是在硬开关拓扑如升压PFC或LLC谐振转换器中表现尤为突出。其次，其正向导通电压虽然略高于理想肖特基二极管，但在高温条件下变化较小，且由于无少子存储效应，不存在反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰问题，有助于简化EMI滤波设计并提升系统可靠性。
　　该器件具有出色的热管理能力，最大结温可达175°C，能够在高温环境下持续稳定工作，适用于散热条件受限的应用场景。同时，较低的热阻（RθJC ~2.5°C/W）确保了热量能够高效地从PN结传导至散热底座，进一步增强了功率处理能力和长期可靠性。此外，SiC材料本身具有更高的击穿电场强度和热导率，使其在650V耐压等级下仍能保持较小的芯片尺寸和较低的寄生参数，有利于提升功率密度。
　　UK3919G-TN3-R采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具备良好的机械稳定性和焊接可靠性，适用于自动化回流焊工艺。三引脚设计允许源极与散热片连接，优化热路径，同时提供电气隔离或共地配置灵活性。该器件还通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）以及温度循环测试，确保在恶劣工况下的长期稳定性。其低漏电流特性在高温下依然可控，避免了传统硅二极管在高温时漏电流急剧上升导致的热失控风险。总体而言，UK3919G-TN3-R是一款面向未来高效能电源系统的理想选择，尤其适用于追求小型化、高效率和高可靠性的现代电力电子设计。

UK3919G-TN3-R广泛应用于各类高效率电力转换系统中，尤其适合需要高频开关、高温运行和高可靠性的场合。在通信电源和服务器电源中，该器件常用于有源钳位反激、图腾柱PFC等拓扑结构，利用其零反向恢复特性来减少开关损耗，提高能效并满足80 PLUS钛金等严苛能效标准。在工业电源领域，如激光电源、UPS不间断电源和电机驱动中的续流与箝位电路，UK3919G-TN3-R凭借其快速响应和高耐压能力，可有效保护主开关器件并提升系统动态响应性能。
　　在可再生能源系统中，该二极管被广泛用于光伏逆变器的直流侧升压电路，作为升压二极管实现高效率能量传输。由于其在白天高温环境下仍能保持低漏电流和稳定性能，特别适合户外长期运行的太阳能发电系统。此外，在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，UK3919G-TN3-R可用于辅助电源或主功率回路中的整流单元，帮助提升充电效率并缩小系统体积。
　　消费类高端电源产品，如大功率适配器、游戏主机电源等，也开始采用此类SiC二极管以实现小型化和高效化。同时，该器件也适用于LED驱动电源、医疗电源等对安全性和稳定性要求较高的领域。由于其符合RoHS和REACH环保规范，且具备优异的抗湿热和抗老化能力，因此在各种严苛环境中均表现出色，是现代绿色能源和智能电网基础设施中不可或缺的关键元件之一。

Wolfspeed C3D03065A
　　ON Semiconductor FFSH30U65B
　　Vishay VSD3100-GS08
　　STMicroelectronics STPSC3H065ZTV1
　　Infineon IDW30G65C3