时间：2025/6/20 22:06:44
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UK3018G-AE2-R 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关芯片，适用于高频、高功率密度的应用场景。该芯片采用增强型 GaN FET 技术，能够显著提高系统效率和功率密度，同时减少热损耗和电磁干扰。其设计针对 AC-DC 和 DC-DC 转换器进行了优化，可广泛应用于快充适配器、无线充电器、服务器电源以及新能源领域。
型号：UK3018G-AE2-R
工作电压范围：10V 至 650V
导通电阻：40mΩ
最大漏极电流：8A
开关频率：高达 2MHz
栅极驱动电压：4.5V 至 6V
封装形式：DFN8x8
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
UK3018G-AE2-R 具有以下主要特性：
1. 高效的氮化镓晶体管技术，支持更高的工作频率和更低的开关损耗。
2. 内置过温保护和过流保护功能，提升系统可靠性。
3. 支持超快速开启和关闭时间，确保高效运行。
4. 小型化封装设计，适合空间受限的应用环境。
5. 提供优异的抗 ESD 性能，增强器件的鲁棒性。
6. 热阻低，散热性能优越，有助于延长使用寿命。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
该芯片主要应用于以下领域：
1. USB PD 快速充电器和适配器。
2. 无线充电模块。
3. 数据中心和服务器电源管理。
4. 新能源汽车中的车载充电器（OBC）。
5. 工业设备中的高频 DC-DC 转换器。
6. 消费类电子产品的高效电源解决方案。
UK3020G-AE2-R, UK3015G-AE2-R
