时间：2025/12/27 8:14:12
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UK2158G-AE2-R是一款由UnitedSiC（现已被Qorvo收购）生产的高性能硅 carbide（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温应用环境设计。该器件采用了先进的碳化硅材料技术，具有出色的热稳定性和较低的导通损耗，适用于各类要求严苛的电力电子系统。作为一款650V额定电压的肖特基二极管，UK2158G-AE2-R在硬开关和软开关拓扑中均表现出优异的性能，尤其适合用于PFC（功率因数校正）电路、DC-DC转换器、逆变器以及工业电源等应用场景。其反向恢复特性几乎为零，避免了传统硅基PIN二极管在高频工作时产生的显著反向恢复电流和相关的开关损耗，从而提升了整体系统的能效并降低了电磁干扰（EMI）。此外，该器件采用符合RoHS标准的表面贴装封装（如D2PAK或类似形式），便于自动化生产装配，并具备良好的散热能力，能够在较宽的环境温度范围内稳定运行。由于其卓越的动态性能和可靠性，UK2158G-AE2-R被广泛应用于新能源汽车车载充电机（OBC）、数据中心电源、太阳能光伏逆变器及电信电源系统中。该产品还通过了AEC-Q101等车规级可靠性认证，表明其具备在恶劣工作条件下长期稳定工作的能力，是现代高效能电源设计中的关键元器件之一。
类型：SiC肖特基二极管
最大重复反向电压（VRRM）：650V
平均整流电流（IF(AV)）：8A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：140A
正向压降（VF）：典型值1.7V（在8A, 25°C条件下）
反向漏电流（IR）：典型值250μA（在650V, 25°C）；高温下不超过5mA（650V, 150°C）
结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
热阻（RθJC）：约1.5°C/W（依赖于封装）
封装形式：D2PAK（表面贴装型）
安装方式：表面贴装（SMD）
引脚数量：3
极性配置：单个肖特基二极管
反向恢复时间（trr）：≤25ns（实际上无少子存储效应，表现为近似零反向恢复）
UK2158G-AE2-R的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料所构建的肖特基势垒结构，这种材料体系从根本上消除了传统硅基PIN二极管中存在的少子存储效应，从而实现了近乎理想的开关行为。在高频开关操作中，该器件展现出极低的动态损耗，尤其是在升压PFC和LLC谐振转换器等拓扑中，能够显著降低主开关管（如MOSFET或IGBT）的开通损耗，提升整体电源效率达1%~3%。其正向压降虽然略高于某些超结硅二极管，但在高温工况下仍保持稳定，不会像硅器件那样随温度升高而大幅增加，因此在满载或高温环境中反而更具能效优势。此外，该二极管具备优异的抗雪崩能力和浪涌电流承受能力，可在瞬态过载条件下可靠运行而不发生永久性损坏，增强了系统的鲁棒性。
该器件的工作结温最高可达+175°C，远高于传统硅二极管的+150°C限制，使其能够在紧凑型高功率密度设计中减少散热器尺寸甚至实现无风扇冷却。同时，其低电容特性和快速响应能力有助于减少EMI噪声，简化滤波电路设计。UK2158G-AE2-R采用标准化的D2PAK封装，兼容现有自动贴片生产线，便于替换原有硅二极管进行升级设计，无需重新布局PCB即可实现性能跃升。所有这些特性共同使得该器件成为面向下一代绿色能源与电动交通领域的重要选择之一。
UK2158G-AE2-R广泛应用于多种高性能电源转换系统中，尤其适用于对效率、功率密度和可靠性有极高要求的场合。典型应用包括：通信电源和服务器PSU中的连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）PFC级，用于替代传统的超快恢复硅二极管以降低损耗；在电动汽车车载充电机（OBC）中作为升压二极管使用，配合SiC MOSFET实现高效双向充放电功能；在工业电机驱动和UPS系统中的续流与钳位电路中提供快速响应和低损耗路径；在太阳能微型逆变器和组串式逆变器中用于防止电池反向放电并提高MPPT效率；还可用于高密度DC-DC变换器，例如48V转12V的中间总线转换器，利用其低反向恢复电荷减少交叉导通风险。此外，该器件也适合用于感应加热、焊接设备等高频率硬开关拓扑中，在这些应用中其零反向恢复特性可极大改善系统热管理表现。凭借其通过AEC-Q101认证的品质，它同样适用于汽车级电源模块，支持发动机舱附近或电池包内部的高温环境运行。总之，凡是对开关速度、温升控制和长期稳定性有严格要求的电力电子设计，均可考虑采用UK2158G-AE2-R来优化系统性能。
UD3C658BHK8
