时间：2025/8/15 8:04:53
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UJ3C120080K3S 是一款由 UnitedSiC（现属于 Qorvo）生产的 SiC（碳化硅）功率 MOSFET，型号中的“UJ3C”表示该器件属于其高性能 SiC FET 系列，“1200”代表其漏源击穿电压为 1200V，“080”表示导通电阻约为 80mΩ，“K3S”是封装与测试信息标识。该器件采用先进的碳化硅技术，具备低导通损耗和开关损耗，适用于高效率、高频和高温度工作环境。
类型：SiC 功率 MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：80mΩ
栅极电压范围：-20V ~ +20V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：TO-247-3L
功率耗散：267W
UJ3C120080K3S 是一款高性能 SiC MOSFET，具备极低的导通电阻（RDS(on)）和出色的开关性能。其主要特性包括高击穿电压（1200V），支持在高压系统中实现高效能操作；80mΩ 的低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统效率；采用碳化硅材料，使得器件在高温环境下仍能稳定工作，增强了系统的可靠性和耐久性。此外，该器件的开关损耗远低于传统硅基 MOSFET 和 IGBT，特别适合高频开关应用，有助于减小功率变换器的体积和重量。该器件还具备良好的短路耐受能力，适用于多种电力电子拓扑结构，如 Boost 电路、逆变器、DC-DC 转换器等。
在实际应用中，UJ3C120080K3S 无需并联即可提供高电流输出，简化了设计并提高了系统效率。其高热导率和低热阻特性使其在高功率密度应用中表现出色，广泛用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备和储能系统等领域。
UJ3C120080K3S 主要应用于需要高压、高频和高效率的电力电子系统中。常见的应用场景包括工业电源、太阳能逆变器、电动汽车车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、储能系统、不间断电源（UPS）以及电机驱动系统。该器件特别适合用于替代传统硅基 IGBT 和 MOSFET，在提升系统效率和降低散热需求方面表现突出。
SiC MOSFET 替代型号包括 Qorvo 的 UJ3C120080K3S 的同类产品，如 UJ3C075080K3S、UJ3C120080K3S 的不同封装版本，以及英飞凌（Infineon）的 CoolSiC? 系列产品，例如 IMZA65R1180M1H、IMBH65R1180M1H；意法半导体（STMicroelectronics）的 STPSC20H12D、STPSC20W12CAG；安森美（onsemi）的 NTHL080N120SC1；以及 Wolfspeed 的 C2M0080120D 等。
