类型：单通道高低侧驱动器
　　最大耐压（VS）：600 V
　　输出电流峰值：最高2.5 A（拉电流）/ 2.0 A（灌电流）
　　输入逻辑电平：兼容TTL/CMOS
　　传播延迟时间：典型值80 ns
　　上升时间（tr）：典型值30 ns
　　下降时间（tf）：典型值25 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　供电电压（VDD）：10 V 至 20 V
　　欠压锁定（UVLO）阈值：约8.5 V（启用），9.5 V（关闭）
　　隔离电压：≥1500 Vrms（典型值）
　　封装形式：DIP-8 或 SOP-8

UIC811G的核心特性之一是其集成的高压电平位移技术，使其能够在一个芯片内实现对高端浮地端的精确控制。传统的半桥驱动方案通常需要独立的隔离电源或复杂的变压器驱动方式，而UIC811G通过内置的电平移位电路，可在不使用光耦或脉冲变压器的情况下完成高低侧信号传输，显著降低了系统复杂性和成本。这种结构特别适用于高频开关应用，在保证信号完整性的同时减少了外部元件数量，提高了整体系统的紧凑性与可靠性。此外，该芯片采用了先进的BCD工艺制造，结合优化的驱动输出级设计，能够在高dv/dt环境下保持稳定的输出行为，有效抑制因寄生电感和电容引起的振荡和误触发现象。
　　另一个关键特性是其强大的抗噪声能力。在实际应用中，尤其是在大电流快速切换的场景下，功率回路会产生强烈的电磁干扰和电压瞬变。UIC811G具备优异的共模瞬态抗扰度（CMTI），典型值可达±50 kV/μs以上，确保即使在极端工况下也能维持正确的逻辑状态传递，避免上下桥臂直通导致的短路事故。同时，芯片内部设有互锁逻辑电路，当输入信号出现异常或两个输入同时为高时，会自动屏蔽输出，防止上下管同时导通，进一步增强系统的安全性。此外，UIC811G还集成了完善的保护机制，例如欠压锁定功能可确保在电源电压未达到稳定工作范围前禁止输出，防止功率器件在低电压下进入线性区造成过热损坏。这些综合性的设计使得UIC811G在工业级应用中表现出卓越的鲁棒性和长期稳定性。

UIC811G常被用于各种需要驱动高边和低边功率开关的拓扑结构中，最典型的应用包括三相逆变器、DC-AC逆变电源、无刷直流电机（BLDC）驱动器以及光伏逆变器等。在这些系统中，它通常作为半桥或全桥功率级的驱动核心，接收来自微控制器或专用PWM控制器的低电平信号，并将其转换为足以快速开启和关闭IGBT或MOSFET栅极的高功率驱动信号。例如，在太阳能逆变器中，UIC811G可用于驱动H桥电路中的上桥臂IGBT，实现高效的能量回馈与并网控制；在电机控制系统中，它可以配合霍尔传感器或编码器反馈信号，精确控制电机相序的换向过程，提升运行效率和平稳性。
　　此外，该芯片也广泛应用于各类高频开关电源拓扑，如LLC谐振变换器、有源钳位反激（ACF）以及图腾柱PFC电路中。特别是在碳化硅（SiC）MOSFET日益普及的背景下，UIC811G因其快速响应能力和高驱动电流输出，成为驱动这类宽禁带器件的理想选择。SiC器件具有更低的导通电阻和更快的开关速度，但也对驱动电路提出了更高要求，比如更严格的时序控制和更强的抗干扰能力。UIC811G正好满足这些需求，能够充分发挥SiC器件的性能优势，同时降低系统整体功耗。除此之外，UIC811G还可用于电动汽车车载充电机（OBC）、UPS不间断电源、感应加热设备以及智能电网相关装置中，展现了其在多领域适应性和高度通用性。

IR2110S
　　IRS2186
　　UCC27531
　　HCPL-3120