UHVM9-450 时间：2025/8/13 12:27:01 阅读：8

UHVM9-450 是一款高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为高功率和高电压应用场景设计。这款MOSFET具有较高的击穿电压和较低的导通电阻，能够在极端工作条件下提供可靠性能。其封装形式通常为TO-247或类似的高功率封装，便于散热和集成到各种电力电子系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDS）：450V
　　最大栅极电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：9A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值约为0.55Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247

特性

UHVM9-450 MOSFET具有多个显著特性，使其适用于高电压和高功率应用。首先，其最大漏极电压为450V，能够满足高压应用的需求，如电源转换器、逆变器和电机驱动器。其次，该器件的导通电阻相对较低，典型值约为0.55Ω，有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，UHVM9-450具有较高的栅极电压容限（±20V），使其在高电压开关应用中具有更高的稳定性和可靠性。
　　该MOSFET的封装形式为TO-247，这种封装不仅能够有效散热，还便于安装在散热器上，从而提高整体热管理性能。UHVM9-450的工作温度范围宽，从-55°C到+175°C，使其适用于各种恶劣环境条件下的应用，如工业自动化、汽车电子和可再生能源系统。此外，该器件具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗，提高系统的整体性能和效率。

应用

UHVM9-450 MOSFET广泛应用于需要高压和高功率处理能力的电子系统中。其主要应用领域包括电源转换器（如DC-DC转换器和AC-DC电源）、电机驱动器、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件还可用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率调节模块。在汽车电子领域，UHVM9-450可用于电动汽车的充电系统和动力控制系统。由于其优异的电气性能和可靠的封装设计，该MOSFET也适用于需要高可靠性和高稳定性的高端应用，如医疗设备和测试仪器中的功率管理模块。