时间：2025/10/6 15:42:10
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UHV1V152MHD6是一款由KEMET（现属于Yageo集团）生产的表面贴装多层陶瓷电容器（MLCC），主要用于高电压、高可靠性应用场合。该器件属于C0G/NP0温度稳定型陶瓷电容器系列，具备出色的电气稳定性、低损耗和极小的电容值随温度、电压和时间的变化。其标称电容为1500pF（即1.5nF），额定电压高达500VDC，适用于需要在高压环境下保持信号完整性与电路稳定性的设计。该MLCC采用径向叠片结构设计，封装尺寸为2220（公制代码5750），具有较高的体积效率，在有限空间内提供可靠的高压性能。UHV1V152MHD6广泛应用于工业电源、医疗设备、航空航天电子系统、高压传感器接口以及测试与测量仪器中。
该产品符合RoHS指令要求，并通过AEC-Q200认证，适合用于对可靠性和耐久性有严格要求的应用场景。其C0G介质材料确保在整个工作温度范围（-55°C至+125°C）内电容变化不超过±30ppm/°C，等效串联电阻（ESR）极低，自谐振频率较高，因此在高频滤波、定时电路、谐振匹配网络和精密模拟电路中表现优异。此外，该器件具备良好的抗湿性和机械强度，可承受回流焊工艺中的高温冲击，是替代传统引线式高压电容的理想选择。
电容：1500pF
容差：±20%
额定电压：500VDC
温度特性：C0G (NP0)
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装/尺寸：2220 (5750)
介质材料：陶瓷（C0G/NP0）
安装类型：表面贴装（SMD）
产品系列：UHV
高度：约2.5mm
端接：镍阻挡层，锡镀层
老化率：≤0.1% per 1000 hours
绝缘电阻：≥100GΩ 或 RC ≥ 5000 seconds（取较小值）
电容稳定性：随电压、频率和时间几乎不变
DF（耗散因数）：≤0.1%
UHV1V152MHD6采用先进的多层陶瓷制造工艺，结合C0G（即NP0）类电介质材料，使其在各种环境条件下均能维持极其稳定的电容性能。这种材料具有接近零的温度系数，意味着在-55°C到+125°C的工作温度范围内，电容值不会因温度波动而发生显著偏移，这对于高精度定时电路、振荡器、滤波器和反馈控制系统至关重要。同时，由于C0G介质本质上是非铁电性的顺电体材料，它不受直流偏置电压的影响，即使施加接近额定电压的直流偏压，电容值也能保持恒定，避免了X7R或Y5V等高介电常数材料常见的容量衰减问题。
该器件的设计重点在于高压操作能力与小型化之间的平衡。在500VDC额定电压下，仍采用紧凑的2220封装，使得其在空间受限但需耐受高电压的应用中极具优势。内部电极采用薄层陶瓷与金属交替堆叠结构，优化了电场分布，提高了介电强度和局部放电抑制能力，从而增强了长期运行的可靠性。此外，该电容器具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频应用中表现出色，能够有效滤除噪声并减少功率损耗。
UHV1V152MHD6还具备优异的机械和热循环耐受性，经过严格的温度冲击测试和焊接热应力验证，确保在自动化贴片组装过程中不出现裂纹或性能劣化。其端电极为全镍阻挡层加锡镀层结构，提供了良好的可焊性和抗氧化能力，兼容无铅回流焊工艺。整体结构致密，吸湿性低，适合在潮湿或恶劣环境中长期使用。由于其高绝缘电阻和极低的漏电流特性，也常被用于采样保持电路、高压耦合和隔离节点等对泄漏敏感的模拟前端设计中。
UHV1V152MHD6因其高电压额定值、卓越的电容稳定性和高频响应能力，被广泛应用于多个高端技术领域。在工业电子方面，常用于开关电源（SMPS）中的栅极驱动电路、RC缓冲吸收网络以及高压逆变器中的噪声滤波环节；在医疗成像设备如X光机和CT扫描仪中，用于高压偏置滤波和信号调理模块，确保图像采集的精确性与稳定性。此外，在航空航天和国防系统中，该器件用于雷达发射接收模块、卫星通信前端和飞行控制系统的高可靠性电路中，满足严苛的环境适应性和寿命要求。
在测试与测量仪器领域，例如示波器、信号发生器和频谱分析仪，UHV1V152MHD6用于构建高Q值LC谐振电路、精密积分器和参考振荡回路，发挥其低损耗和频率稳定的优势。其在光电探测系统和激光驱动电路中也有应用，用于高压偏置旁路和高速脉冲整形网络。同时，由于其符合AEC-Q200标准，也被考虑用于汽车高压系统，如车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和电池管理系统（BMS）中的高压检测支路。此外，在能源基础设施如太阳能逆变器和风力发电控制系统中，可用于高压传感保护和EMI滤波电路，提升系统安全等级和电磁兼容性。
C322C152M5GAL7800
KH-L-UHV1V152MHD6
CC05J500B152M
