型号：UHV1E122MHD
　　制造商：Vishay Precision Group
　　封装尺寸：2512 (6432)
　　标称阻值：1.2 kΩ
　　阻值公差：±0.1%
　　最大工作电压：1700 V DC
　　脉冲电压（峰值）：3000 V
　　温度系数（TCR）：±5 ppm/°C
　　额定功率（+70°C）：1.0 W
　　长期稳定性（ΔR/R）：≤ 0.5% / 1000 小时
　　工作温度范围：-55°C 至 +155°C
　　基板材料：高纯度陶瓷
　　电阻膜材料：精密合金薄膜
　　端电极结构：全包覆式贵金属电极
　　焊接方式：适用于标准回流焊工艺

UHV1E122MHD的核心特性在于其卓越的高压处理能力和长期稳定性，这使其成为高压模拟电路中的关键元件。其精密合金薄膜电阻层通过物理气相沉积（PVD）工艺均匀地沉积在高纯度氧化铝陶瓷基板上，确保了高度一致的电阻特性和优异的热传导性能。这种结构不仅提升了器件的耐压能力，还有效降低了热点效应带来的局部过热风险。此外，全包覆式的贵金属端电极设计增强了焊接可靠性和抗湿性，防止因潮湿或离子污染引起的性能退化，从而提高了在恶劣环境下的使用寿命。
　　该电阻器具备极低的温度系数（TCR = ±5 ppm/°C），意味着即使在环境温度剧烈变化的情况下，阻值漂移也非常小，这对于需要高精度电压分压、电流检测或反馈控制的应用至关重要。例如，在X射线发生器或激光驱动电源中，微小的阻值偏差可能导致输出能量失控，因此使用此类高稳定性电阻可显著提升系统的安全性和重复性。
　　另一个重要特性是其出色的脉冲耐受能力，支持高达3000V的瞬态脉冲电压。这一能力得益于优化的内部几何结构设计和边缘场强分布控制，避免了传统厚膜电阻常见的电弧击穿问题。同时，其1.0W的额定功率在2512封装中处于较高水平，结合良好的热管理设计，可以在高温环境下持续稳定运行。
　　此外，UHV1E122MHD符合RoHS指令和REACH法规要求，不含铅或其他有害物质，适用于环保型电子产品制造。其老化率低于0.5%每1000小时，经过加速寿命测试验证，可在严苛工况下维持十年以上的稳定性能。这些综合特性使它成为替代传统引线式高压电阻的理想选择，尤其适用于自动化SMT生产线，大幅提高组装效率并降低整体成本。

UHV1E122MHD广泛应用于对精度、可靠性和耐压性能要求极高的高端电子系统中。在医疗设备领域，如CT扫描仪、MRI系统和体外诊断仪器中，该电阻常用于高压电源模块中的分压网络，用于精确监测和调节数千伏的直流电压输出，确保成像质量和患者安全。由于其低TCR和高稳定性，即使在长时间连续运行过程中也能保持信号链路的准确性。
　　在工业应用方面，该器件被用于高能激光器驱动电路、静电消除装置、电容充电电源（CCPS）以及高压探头设计中。例如，在激光切割或焊接设备中，需要精确控制放电时间和能量释放，UHV1E122MHD作为采样电阻参与反馈环路，实时监控储能电容的充放电状态，防止过压或能量不足导致加工缺陷。
　　航空航天与国防系统也大量采用此类高压精密电阻。在飞行器雷达发射机、卫星电源管理系统和电子对抗设备中，元器件必须在极端温度、振动和辐射环境中保持功能完整性。UHV1E122MHD凭借其宽温域适应性和高抗扰度，成为这些任务关键型系统中的首选元件。
　　此外，在测试与测量设备中，如高精度数字万用表（DMM）、高压校准源和示波器前端衰减电路中，该电阻用于构建精密分压器，直接决定仪器的测量精度和分辨率。其长期稳定性减少了定期校准的需求，降低了维护成本。
　　新能源领域，如光伏逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）和储能系统的绝缘监测单元（IMD）中，也需要可靠的高压检测方案。UHV1E122MHD可用于检测直流母线电压或电池组总压，提供稳定准确的反馈信号，保障系统运行安全。

CMF651200R00FKEA
　　SR100-1200-R
　　RN73H2TT1200BTD