电容值：1800pF (1.8nF)
　　容差：±20%
　　额定电压：1600VDC
　　温度系数：Z5U
　　工作温度范围：+10°C 至 +85°C
　　封装尺寸：2220 (5.7mm x 5.0mm)
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　介质材料：陶瓷（Class III, Z5U）
　　最大高度：约3.3mm
　　端接类型：镍阻挡层/锡覆盖
　　耐压能力：可承受短时过压至1900VDC（依据制造商规范）
　　电容稳定性：受电压和温度影响较大（典型Z5U特性）
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 时间常数 ≥100s（取较小值）
　　使用寿命：在额定条件下典型寿命超过10年

UHV1C182MPD的核心优势在于其在小型化封装中实现了1600V的高直流工作电压与1800pF相对较高的电容值之间的平衡，这在标准商业级MLCC中较为罕见。该器件采用Z5U类陶瓷介质，这类材料具有非常高的介电常数，从而允许在有限体积内实现更大的电容密度。然而，Z5U材料的电容值对温度和施加电压较为敏感，通常在全温度范围内电容变化可达到+22%/-82%，因此不适合用于对电容稳定性要求极高的精密定时或滤波电路。尽管如此，对于主要关注储能能力而非精度的应用场景，如高压耦合、跨线滤波或能量脉冲释放，这种性能折衷是可以接受的。
　　该电容器的结构采用多层堆叠技术，内部由多个交替的陶瓷介质层和金属电极层构成，通过共烧工艺形成一体化结构。这种设计不仅提升了电压分布均匀性，还增强了机械强度和抗热冲击能力。端子采用镍阻挡层和锡覆盖，确保良好的焊接可靠性和长期耐腐蚀性。UHV1C182MPD经过严格的质量控制流程，包括100%高压测试和绝缘电阻检测，以保证每只器件都能满足高压应用的安全标准。其低ESR和低ESL特性使其在快速充放电循环中表现优异，减少了内部发热和能量损失，提高了系统整体效率。
　　在可靠性方面，该器件适用于工业级和部分军用扩展环境条件下的长期运行。制造商通常提供详细的寿命预测模型，基于Arrhenius方程和电压应力加速因子，帮助设计者评估在特定工作温度和电压下的预期使用寿命。此外，该电容器对湿度不敏感，无需特殊存储条件，简化了供应链管理。需要注意的是，由于其高电压特性，PCB布局必须遵循高压设计规范，例如增加焊盘间距、使用开槽隔离、涂覆三防漆等措施，以避免表面漏电或闪络现象。总体而言，UHV1C182MPD是一款专为严苛高压环境优化的高性能MLCC，适合在空间受限但电气要求极高的系统中使用。

UHV1C182MPD广泛应用于各类需要高压、小体积电容解决方案的电子系统中。典型应用场景包括医疗设备中的X射线发生器和CT扫描仪的高压电源模块，其中该电容器用于滤波、储能和脉冲整形，确保高压输出的稳定性和重复性。在激光系统中，它常被用作Q开关或闪光灯驱动电路中的储能元件，在毫秒级时间内释放大量能量，触发激光介质产生光脉冲。工业领域的高能点火系统、静电消除设备和离子风机也依赖此类高压电容来生成所需的瞬态高电压场。
　　此外，UHV1C182MPD适用于测试与测量仪器，如高压探头校准装置、示波器前端保护电路和函数发生器输出级，用于信号耦合和直流阻断，同时承受可能的瞬态过压。在电源系统中，它可以作为跨线安规电容（若符合相应安全认证）用于EMI滤波，抑制高频噪声传导。航空航天和国防电子系统中，该器件可用于雷达发射机、电子对抗设备和卫星电源调节单元，这些场合对元器件的可靠性和抗辐射能力有较高要求。由于其表面贴装特性，UHV1C182MPD支持自动化贴片生产，提高了生产效率和一致性，特别适合批量制造的高端电子设备。在新能源领域，如光伏逆变器和电动汽车充电模块中，也可用于高压母线滤波或缓冲电路，协助平滑电压波动。总之，凡是需要在紧凑空间内实现高压、中等容量储能或耦合功能的场合，UHV1C182MPD都是一种可靠且高效的选择。

UHV1C182MHD
　　UHV1C182MPB
　　VJ2220Y182MHXAP2K