类型：PIN二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　最大反向电压（VR）：100V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：1.5A
　　反向漏电流（IR）：1μA（典型值）
　　结电容（Cj）：0.4pF（在4V偏置下）
　　反向恢复时间（trr）：< 1ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：350°C/W
　　极性：阴极为标记端
　　

UHV1A221MED的核心特性之一是其卓越的高频性能表现，这主要得益于其低结电容和快速开关能力。在4V直流偏置条件下，其典型结电容仅为0.4pF，显著低于传统PN结二极管，这一特性使得该器件在GHz级别的射频应用中能够最大限度地减少信号损耗和失真，提高系统的整体效率。同时，由于采用了PIN结构设计，I层的存在扩展了耗尽区宽度，有效提升了器件的击穿电压等级至100V，同时降低了载流子复合速率，从而实现了更平稳的电流传输和更强的抗干扰能力。该二极管具备极短的反向恢复时间（trr < 1ns），确保在高频开关过程中几乎不存在延迟或拖尾现象，这对于雷达脉冲调制、TDD切换以及高速数据通信等对时序精度要求极高的场景至关重要。
　　另一个重要特性是其出色的热稳定性和长期可靠性。UHV1A221MED可在-55°C到+150°C的极端温度范围内正常运行，适用于工业级和汽车级应用环境。其SOD-123FL封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且优化了热传导路径，结合350°C/W的热阻参数，能够在有限散热条件下维持较低的工作结温，延长使用寿命。此外，该器件通过AEC-Q101认证，表明其满足汽车电子元器件的严苛可靠性测试标准，包括高温反偏、温度循环和机械冲击等项目。这也意味着它可以在车载通信模块、远程信息处理系统和高级驾驶辅助系统（ADAS）中安全使用。
　　从制造工艺角度看，UHV1A221MED采用先进的平面掺杂技术和钝化层保护工艺，增强了表面绝缘性能，减少了表面漏电风险。所有金属接触点均经过特殊处理以确保良好的焊接可靠性和耐腐蚀性，支持回流焊和波峰焊等多种贴装方式。此外，该二极管具备良好的ESD耐受能力，典型HBM等级可达±2kV，有助于在生产、运输和现场维护过程中抵御静电放电损伤。这些综合特性使UHV1A221MED成为高性能模拟前端、可编程增益放大器、天线调谐网络以及便携式无线设备中不可或缺的关键元件。

UHV1A221MED广泛应用于高频模拟和射频电路设计领域，尤其适合需要高线性度、低插入损耗和快速响应特性的系统。在无线通信基础设施中，该二极管常用于基站收发信机的射频开关模块，实现发射与接收通道之间的高速切换，保障TDD（时分双工）模式下的信号完整性。其低电容和高隔离度特性也有助于提升多频段天线系统的调谐精度和带宽适应能力，常见于智能手机、平板电脑和物联网终端设备的天线阻抗匹配网络中。此外，在测试与测量仪器如矢量网络分析仪和频谱仪中，UHV1A221MED被用作前端保护器件，防止大信号输入损坏敏感的放大器链路，同时保持测量路径的高频响应一致性。
　　在消费类电子产品方面，该器件可用于音频和视频信号路径中的瞬态抑制电路，避免因插拔或电源波动引起的过压冲击。其快速响应能力和高耐压特性也使其适用于各类便携式医疗设备中的传感器接口保护，例如超声探头或多参数监护仪的信号调理单元。在汽车电子系统中，UHV1A221MED可用于车载导航、蓝牙通话模块和Wi-Fi热点单元的射频前端，确保在复杂电磁环境下仍能维持稳定的无线连接性能。此外，该二极管还可集成于可编程衰减器电路中，配合控制电压调节信号强度，实现动态增益控制功能，广泛服务于雷达系统、卫星通信终端和军用无线电设备等高端应用场景。