UHD1C560MDD是一款由Vishay Precision Group(威世精密集团)生产的高精度、低温度系数的薄膜片式电阻器,属于其Ultra High Density (UHD) 系列产品之一。该系列电阻专为对稳定性、可靠性和长期性能要求极高的应用而设计,广泛应用于测试与测量设备、医疗仪器、工业控制、精密电源以及航空航天电子系统中。UHD1C560MDD采用先进的薄膜沉积技术制造,具有出色的电气稳定性和机械坚固性。其标称电阻值为56Ω(根据E96系列标准,560表示56.0Ω),容差为±0.1%,适用于需要极高精度匹配和微小阻值偏差控制的电路设计。该器件封装在小型化表面贴装(SMD)陶瓷基板上,典型尺寸为0402(1005公制),即长约1.0mm,宽约0.5mm,适合高密度PCB布局。此外,UHD1C560MDD具备极低的温度系数(TCR)——通常为±5ppm/°C或更低,确保在整个工作温度范围内阻值变化极小,从而提升系统整体的测量精度和稳定性。
型号:UHD1C560MDD
制造商:Vishay Precision Group
电阻值:56.0 Ω
容差:±0.1%
温度系数(TCR):±5 ppm/°C(0°C 至 +60°C)
额定功率:50 mW(+70°C下)
最大工作电压:50 V
长期稳定性:≤±0.05%(1000小时,额定功率下)
工作温度范围:-55°C 至 +155°C
存储温度范围:-55°C 至 +155°C
封装尺寸:0402(1.0 mm × 0.5 mm)
端接材料:镍铬(NiCr)阻挡层 + 柔性锡电镀,兼容无铅焊接工艺
介质耐压:100 Vrms
热EMF:<1 μV/°C(典型值,相对于铜)
UHD1C560MDD的核心优势在于其卓越的长期稳定性和极低的温度漂移性能。这得益于Vishay专利的薄膜沉积工艺,在高纯度陶瓷基板上通过物理气相沉积(PVD)技术形成均匀且致密的镍铬合金电阻层。这种结构不仅提高了电阻膜的抗老化能力,还显著降低了因环境温度波动引起的阻值偏移。同时,该器件采用了优化的激光修调技术,实现±0.1%的高精度容差,并在修调后进行高温老化处理,以进一步稳定其电气特性。
另一个关键特性是其极低的热电动势(Thermal EMF),小于1μV/°C,这对于微伏级信号检测的应用至关重要,例如在精密仪表放大器、桥式传感器接口和电流检测电路中,能够有效避免因接头温差产生的寄生电压干扰,从而提高系统的信噪比和测量准确性。
UHD1C560MDD还表现出优异的脉冲负载能力和抗浪涌性能,能够在短时间内承受高于额定功率的瞬态电流冲击而不发生性能退化。其陶瓷-金属结构提供了良好的热传导路径和机械强度,支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺,并符合RoHS环保标准。此外,器件经过严格的筛选和测试,包括高温存储、温度循环、湿度偏置等可靠性试验,确保在严苛环境下仍能保持稳定运行。这些特性使其成为高端模拟电路中替代传统绕线电阻或普通厚膜电阻的理想选择。
UHD1C560MDD主要用于对精度和稳定性有极致要求的电子系统中。在精密测量仪器领域,如数字万用表、LCR测试仪和高分辨率数据采集系统中,它被用于构建参考电压分压网络或反馈回路,确保测量结果的高度可重复性和准确性。
在医疗电子设备中,例如病人监护仪、成像系统(CT、MRI辅助电路)和体外诊断设备,该电阻用于信号调理前端,帮助维持微弱生物电信号的保真度,防止因元件漂移导致误诊。
在工业自动化与过程控制方面,UHD1C560MDD常用于高精度传感器信号放大电路、PLC模拟输入模块以及闭环控制系统中的增益设置电阻,保障长时间运行下的输出一致性。
此外,在航空航天和国防电子系统中,由于其宽温域工作能力和高可靠性,该器件被广泛应用于飞行控制系统、雷达信号处理单元和卫星通信设备中的精密偏置与校准电路。
其他应用场景还包括精密电源管理模块、基准电压源电路、高保真音频设备中的增益控制网络以及实验室级校准仪器等,凡是需要长期不需调整且性能稳定的电阻元件场合,UHD1C560MDD都能发挥重要作用。
CMF5556R0FT