类型：NPN射频功率晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：1.5A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大功耗（Ptot）：30W
　　工作频率范围：DC至1GHz
　　增益（hFE）：50-200（取决于工作电流）
　　封装形式：TO-220AB
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

UHBM45具有优异的射频性能和稳定性，适用于多种高频率应用。其核心特性包括：
　　? 高功率增益：在高频工作条件下，仍能提供稳定的增益，确保信号放大效果。
　　? 低失真：出色的线性度，减少了信号失真，特别适合用于通信系统的功率放大器。
　　? 高可靠性：采用优质材料和先进封装技术，确保在恶劣环境下的稳定运行。
　　? 低热阻：良好的散热设计使其能够在高功率条件下保持较低的温度上升，提高整体系统稳定性。
　　? 宽频率响应：适用于多种射频应用，覆盖范围广泛，能够适应不同的通信标准和协议。
　　? 简化设计：易于集成到现有电路中，减少了外围元件的需求，简化了射频放大器的设计流程。
　　这些特性使得UHBM45成为射频功率放大器设计中的首选晶体管之一。

UHBM45主要应用于以下领域：
　　? 通信设备：用于GSM、CDMA、WCDMA、LTE等通信系统的射频功率放大器模块。
　　? 工业控制：在工业无线通信系统中提供高稳定性的射频信号放大。
　　? 射频测试设备：作为测试设备中的关键放大元件，用于校准和测量射频信号。
　　? 广播设备：用于FM和TV广播系统的功率放大器，确保信号传输的稳定性。
　　? 雷达系统：作为射频前端的功率放大元件，提高雷达信号的传输距离和准确性。
　　? 军事通信：在高要求的军事通信系统中提供可靠的射频放大解决方案。

MRF151G, BLF188XR, 2SC2879, UHB1080, RD16HHF1