类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：10A
　　导通电阻(Rds(on))：≤12mΩ（@Vgs=10V）
　　功耗(Pd)：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8 / DFN

UH401 MOSFET芯片具有多项显著的性能优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其在高电流应用场景中表现优异。该芯片支持高达10A的连续漏极电流，适用于对功率要求较高的设备。此外，UH401 的最大漏源电压为30V，适用于多种低压直流电源系统，包括12V、24V电源轨等。
　　其次，UH401 采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，提升了芯片的开关速度和热稳定性，有助于减少开关损耗并提高整体系统性能。其封装形式通常为SOP-8或DFN，具备良好的散热能力，适合高密度PCB布局，并支持自动贴片工艺，提高了生产效率。
　　在保护性能方面，UH401具备良好的过温保护能力，在高负载或异常工作条件下能够有效避免器件损坏。同时，其栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至20V），兼容多种驱动电路，增强了设计灵活性。由于其高性能和高可靠性，UH401被广泛应用于电源管理、电机控制、LED驱动、电池管理系统（BMS）等领域。

UH401 MOSFET芯片广泛应用于多个电子领域。在电源管理方面，它常用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电源分配系统，尤其适合需要高效能和高稳定性的设计。在电机控制中，UH401用于H桥驱动、直流电机和步进电机的功率开关，能够有效控制电机的速度和方向。此外，该芯片也适用于LED照明系统，用于恒流驱动和调光控制。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑、智能家电等设备中，UH401用于电源开关、电池充放电管理和电源保护电路。在工业自动化系统中，它用于PLC模块、工业电源、伺服驱动器和各种控制电路。另外，UH401也常用于新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统和电动车电池管理系统中，发挥着关键的功率控制作用。

Si4410BDY, IRF3710, AO4406A, FDS4410, IPD95201