时间：2025/12/24 15:15:14
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UGS02A24T3V3是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合需要高效率和低损耗的应用场景。
这款芯片属于N沟道增强型MOSFET，通过栅极电压控制源漏之间的导通与关断，能够承受较高的电流和电压负载，同时保持较低的功率损耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：2.4Ω（典型值，Vgs=10V时）
功耗(Ptot)：270W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
1. 低导通电阻设计，可有效降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高耐压能力，适用于高压应用场景。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 提供过热保护功能，确保在极端条件下的可靠性。
5. 稳定的电气性能，在不同工作温度下表现一致。
6. 符合RoHS标准，环保无害。
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
2. 电机驱动器中的电子开关元件。
3. 直流-直流(DC-DC)变换器的核心组件。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 汽车电子中的电源管理和驱动电路。
7. 各类家用电器中的高效能开关模块。
STMicroelectronics的STP15NF02L
Infineon的IPP15N02P3
ON Semiconductor的NTD2955N
Fairchild Semiconductor的FQA15N20
Vishay的SiHF15N20E
