UGF19060F 时间：2025/12/28 16:22:13 阅读：15

UGF19060F是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件专为高效率功率转换应用而设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种开关电源系统。UGF19060F采用了先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下保持良好的性能和较低的功率损耗。其封装形式为SOP（Small Outline Package）或类似的小型表面贴装封装，适合高密度电路设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：19A（在25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：约2.3mΩ（典型值，具体取决于Vgs）
　　功率耗散(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装类型：SOP或类似的小型表面贴装封装

特性

UGF19060F功率MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，确保了较低的导通电阻，从而降低了功率损耗并提高了系统效率。这种低Rds(on)特性使其在高电流应用中表现出色，能够承受较大的负载电流而不至于过热。
　　此外，UGF19060F具有较高的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。其小型表面贴装封装不仅节省空间，还便于自动化生产和散热设计，适用于高密度PCB布局。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常支持常见的10V至15V驱动电压，方便与各种控制电路配合使用。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器应用。
　　UGF19060F还具备良好的短路和过载保护能力，能够在一定程度上抵御异常工作条件下的损坏，提高了系统的整体稳定性。

应用

UGF19060F广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于以下领域：电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器、UPS不间断电源、工业自动化控制电路、LED照明驱动电路以及各种高效率开关电源设计。由于其高电流能力和低导通损耗，该器件特别适合需要高效率、高可靠性和紧凑设计的现代电子系统。