类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：900V
　　连续漏极电流(Id)：18A
　　导通电阻(Rds(on))：0.45Ω（最大）
　　栅极电压(Vgs)：±30V
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　功耗(Pd)：150W
　　封装类型：TO-220/D2PAK

UGF18090F具有多项优异的电气特性。首先，其高耐压能力（900V）使其适用于高压电源应用，能够有效降低系统设计中的电压应力问题。其次，18A的连续漏极电流能力确保了该器件在大电流应用中依然能够稳定工作，避免过载导致的失效问题。
　　此外，UGF18090F的导通电阻仅为0.45Ω，这一低Rds(on)值有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。在高频开关应用中，这一点尤为重要，因为它能够减少功率损耗并提高热性能。
　　该器件的栅极电压范围为±30V，提供了良好的栅极驱动兼容性，支持多种控制IC的直接驱动。同时，其宽工作温度范围（-55℃至+150℃）确保了在各种环境条件下的可靠性，适合工业级和汽车级应用。
　　UGF18090F的封装形式通常为TO-220或D2PAK，具备良好的散热性能，能够有效应对高功率密度应用中的热管理挑战。

UGF18090F广泛应用于各类电力电子设备中，包括DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、工业电源以及新能源领域的光伏逆变器等。在电机控制应用中，该器件可以用于H桥电路，实现高效、稳定的电机驱动。在电池管理系统中，UGF18090F可用于充放电控制电路，确保电池组的安全运行。
　　此外，该器件也适用于高功率LED驱动电源，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。在新能源汽车领域，如车载充电器（OBC）和DC-DC变换器中，UGF18090F同样表现出色，满足高可靠性与高效率的需求。

UGF18090F的替代型号包括STP18N90M5、FQP18N90和IRFHV1809。这些型号在参数和性能上较为接近，但具体使用时需根据实际电路设计进行验证。