时间：2025/9/11 4:33:31
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UGF18085P是一款高性能的功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、电机控制和高效能转换电路中。这款器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。UGF18085P封装紧凑，便于在高密度电路板上使用，并提供良好的散热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：80A
漏极-源极电压（VDS）：100V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
UGF18085P具有低导通电阻的特点，这使得在高电流应用中可以显著降低功率损耗，提高整体系统效率。该器件的高开关速度有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器设计。
此外，UGF18085P的封装设计优化了热性能，确保在高功率操作下的可靠性和稳定性。该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态高压条件下提供良好的保护，适用于电机驱动和电源开关等严苛工作环境。
其栅极驱动电压范围宽广，兼容多种驱动电路设计，便于在不同应用场景中使用。器件还具备良好的短路耐受能力，提高了系统在异常工作条件下的安全性。
UGF18085P适用于多种高功率电子设备，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器和负载开关。该器件也广泛用于电动汽车充电系统、工业自动化设备以及高效能LED照明驱动电路。此外，UGF18085P还适用于电池管理系统（BMS）和储能系统中的功率控制部分。
IRF1405, STP80NF03L, FDP80N10
