时间：2025/9/11 4:45:49
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UGF18085F 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换和开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理系统以及负载开关等场景。UGF18085F采用SOP（小外形封装）8引脚封装形式，具备良好的散热性能和空间利用率，适用于表面贴装工艺。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：最大30mΩ（在Vgs=10V时）
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOP-8
UGF18085F具备多项优异特性，使其在功率电子系统中表现卓越。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率，特别是在高电流工作条件下优势更为明显。其次，该器件的高连续漏极电流能力（6A）允许其在多种高功率密度应用中使用，例如便携式设备的电源管理电路、电池供电系统的开关控制等。
此外，UGF18085F采用了东芝先进的沟槽式结构技术，优化了器件内部的电场分布，从而提高了器件的可靠性和耐用性。其栅极驱动电压范围较宽（最高可达10V），可与多种驱动电路兼容，方便设计和使用。
在封装方面，UGF18085F采用SOP-8封装，具备良好的散热性能，能够有效将热量传导至PCB板上，避免因过热而导致性能下降或损坏。同时，SOP-8封装尺寸小巧，适用于空间受限的设计，如智能手机、平板电脑、小型电源模块等。
UGF18085F的工作温度范围宽广（-55°C至150°C），能够在恶劣的环境条件下稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。此外，该器件的封装材料符合RoHS环保标准，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。
UGF18085F广泛应用于多种功率电子系统中。其主要用途包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）等。由于其低导通电阻和高电流能力，UGF18085F特别适合用于需要高效能、高可靠性的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及可穿戴设备中的电源开关和功率调节电路。
此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、传感器控制模块以及嵌入式系统的电源管理部分。在汽车电子领域，UGF18085F可用于车载充电系统、LED照明控制、车载信息娱乐系统电源管理等应用场景。
Si2302DS, BSS138K, FDS6680, AO4406A
