时间：2025/9/11 5:08:37
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UGF18060P是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高功率和高频应用。这种类型的器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等领域。UGF18060P采用先进的制造工艺，确保在高电流和高电压条件下仍能保持稳定的工作性能，同时具备较高的能效和可靠性。
类型：功率MOSFET
封装类型：TO-220
最大漏极电流（ID）：180A
最大漏源电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：约2.8mΩ
栅极电荷（Qg）：典型值约170nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
最大功耗（PD）：约300W
UGF18060P具有多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻可显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体能效。其次，该器件具备较高的电流承载能力，能够支持大功率应用的需求。此外，UGF18060P采用了高热导率的封装材料，增强了器件的散热性能，使其能够在高温环境下稳定运行。该MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频开关电路，减少开关损耗并提高系统响应速度。此外，其栅极驱动要求较低，可与标准逻辑电路兼容，简化了驱动电路的设计。UGF18060P还具备良好的短路和过载保护能力，进一步提高了系统的可靠性和安全性。
UGF18060P广泛应用于各种高功率电子设备中。常见用途包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、工业自动化控制系统以及电动汽车（EV）充电设备。在这些应用中，UGF18060P能够提供高效的功率转换和稳定的电流控制，满足对高性能功率器件的需求。此外，它还可用于音频放大器和电源供应器等消费类电子产品中，提供出色的功率处理能力和可靠性。
SiHF180N60E、IRFP2907PBF、FDP180N60ES
