类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：180A（最大）
　　漏源电压（VDS）：60V（最大）
　　栅源电压（VGS）：±20V（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.5mΩ（典型值，取决于栅极电压）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220、DPAK（具体视制造商而定）

UGF18060F具备多项优异性能，首先其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET支持高达180A的连续漏极电流，能够在高负载条件下稳定工作，适用于大功率应用场景。此外，60V的漏源电压额定值使其适用于多种中高压功率转换电路，如Buck/Boost转换器、H桥电机驱动器和电源开关模块。
　　在热管理方面，UGF18060F采用了高效的散热设计，能够有效将热量传导至散热片或PCB板，确保器件在高温环境下依然保持良好的工作状态。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）也增强了其在恶劣环境中的可靠性。
　　此外，该MOSFET具有快速开关特性，减少了开关损耗，有助于提高电源系统的整体效率。其栅极驱动电压范围适配常见的10V至15V驱动电路，便于与各类驱动IC或控制器配合使用。UGF18060F还具备良好的雪崩击穿耐受能力，能够在突发电压冲击下保持稳定运行，提高了系统的鲁棒性。

UGF18060F适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：
　　? 高效DC-DC转换器和电源模块
　　? 电机驱动器和H桥电路
　　? 电源管理单元（PMU）
　　? 电池管理系统（BMS）
　　? 逆变器和UPS系统
　　? 电动工具和电动车控制器
　　? 高电流负载开关和电源分配系统
　　由于其高电流承载能力和低导通电阻，UGF18060F在需要高效率和高可靠性的电源设计中表现出色。

IRF1405、SiR180N60、FDMS86180、NTMFS4C10N