产品类型：碳化硅FET（Cascode）
　　电压等级：650V, 1200V等可选
　　导通电阻（RDS(on)）：根据型号不同，典型值从几十毫欧到数百毫欧不等
　　最大连续漏极电流（ID）：依据具体型号及散热条件，可达数十安培
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　栅极阈值电压（Vth）：典型值约3.5V - 4.5V，兼容标准MOSFET驱动
　　封装形式：TO-247、TO-220等工业标准封装
　　反向恢复时间（trr）：极低，接近于零，得益于无体二极管电荷特性
　　输入电容（Ciss）：适中，便于高频开关操作

UG3C系列碳化硅FET的核心优势在于其独特的共源共栅结构设计，该结构通过将一个高性能的硅MOSFET与一个增强型碳化硅JFET集成在同一封装内，实现了既保留碳化硅材料高频、高压、高温工作能力，又具备与传统硅基MOSFET相似的驱动特性的理想组合。这一设计使得UG3C器件可以直接替换现有设计中的高压硅MOSFET或IGBT，无需重新设计驱动电路，极大缩短了产品开发周期并降低了系统升级成本。由于碳化硅JFET本身为常开型器件，通过串联的硅MOSFET实现常关功能，因此在关断状态下具有极高的阻断能力，在导通时则表现出极低的导通电阻和出色的热稳定性。
　　另一个显著特点是其极低的开关损耗。相比传统IGBT或超结MOSFET，UG3C器件在高频开关应用中表现出更小的能量损失，尤其是在硬开关拓扑如图腾柱PFC、LLC谐振转换器和双有源桥（DAB）中表现优异。这不仅提高了系统效率，还能减小散热器尺寸甚至实现无风扇冷却，提升系统功率密度。此外，由于没有传统体二极管的反向恢复电荷（Qrr），UG3C在换流过程中不会产生额外的电流尖峰和EMI噪声，有助于满足严格的电磁兼容性（EMC）标准。
　　UG3C器件还具备出色的温度稳定性，其导通电阻随温度升高的增幅远小于硅基器件，确保在高温环境下仍能维持高效运行。宽禁带半导体材料带来的高击穿电场强度使其能够在更高母线电压下稳定工作，适用于新一代800V及以上电动汽车平台和高压直流配电系统。综合来看，UG3C系列为现代高效率电力电子系统提供了一个兼具性能、可靠性和易用性的理想解决方案。

UG3C系列碳化硅FET被广泛应用于对能效和功率密度要求严苛的领域。在工业电源领域，它们常用于大功率开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和高频感应加热系统中，以提高转换效率并缩小系统体积。在可再生能源系统中，特别是在光伏（PV）逆变器和储能系统（ESS）中，UG3C器件凭借其低损耗和高可靠性，显著提升了能量转化效率，延长了系统寿命。在电动汽车相关应用中，车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及充电桩（EVSE）均大量采用UG3C器件来实现更高的充电效率和更快的充电速度。通信基础设施中的服务器电源和48V中间总线转换器也受益于UG3C的高频工作能力和低热耗散特性，有助于构建绿色节能的数据中心。此外，该系列器件还可用于电机驱动、医疗电源、航空航天电源等高端应用场景，满足对长期稳定性和极端环境适应能力的需求。

UJC06505K-T1；UJC12005K-T1；UJC12009K-T1