时间：2025/12/27 9:06:23
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UFZ24NL-F是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关应用和电源管理设计。该器件采用紧凑型表面贴装封装（通常为SOP-8或类似封装），适用于需要高效率、低功耗和小尺寸的现代电子设备。作为P沟道MOSFET，UFZ24NL-F在栅极施加负电压相对于源极时导通，常用于负载开关、逆变器电路、DC-DC转换器以及电池供电系统中的电源控制模块。其结构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，能够在较低的驱动电压下实现快速开关，从而减少开关损耗并提升整体能效。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，适合在工业级温度范围内长期稳定运行。ROHM作为知名的半导体制造商，确保了UFZ24NL-F在制造工艺、材料选择和质量控制方面达到高标准，广泛应用于消费类电子产品、通信设备、便携式医疗仪器及汽车电子等领域。
型号：UFZ24NL-F
极性：P沟道
漏源电压（VDS）：-30V
连续漏极电流（ID）：-4.4A（@ VGS = -10V）
脉冲漏极电流（IDM）：-12A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻RDS(on)：45mΩ（@ VGS = -10V）
导通电阻RDS(on)：57mΩ（@ VGS = -4.5V）
阈值电压VGS(th)：-1.0V ~ -2.0V
输入电容Ciss：860pF（@ VDS = -15V）
输出电容Coss：280pF（@ VDS = -15V）
反向传输电容Crss：40pF（@ VDS = -15V）
总栅极电荷Qg：13nC（@ VGS = -10V）
开启延迟时间td(on)：12ns
关断延迟时间td(off)：28ns
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP-8
UFZ24NL-F具备出色的导通性能和动态响应能力，其低导通电阻RDS(on)显著降低了在导通状态下的功率损耗，这对于提高电源系统的整体效率至关重要。特别是在电池供电的应用中，降低导通损耗意味着更长的工作时间和更高的能量利用率。该器件在VGS = -10V时的典型RDS(on)仅为45mΩ，在VGS = -4.5V时也保持在57mO左右，说明其在较宽的栅极驱动电压范围内均能维持良好的导通特性，兼容多种逻辑电平驱动电路，包括3.3V或5V微控制器直接驱动。
该MOSFET的栅极电荷Qg仅为13nC，表明其在高频开关操作中所需的驱动能量较少，有助于降低驱动电路的设计复杂度和功耗。同时，较低的输入电容和反向传输电容减少了米勒效应的影响，提升了器件在高速开关环境下的稳定性，防止因寄生耦合引起的误触发现象。开启延迟时间为12ns，关断延迟时间为28ns，展现出优异的开关速度，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑结构。
UFZ24NL-F采用SOP-8封装，不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，还具备一定的散热能力，可通过PCB走线进行有效热传导。器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环保和安全性的严格要求。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能够在恶劣环境下可靠运行，适用于工业控制、车载设备等对环境适应性要求较高的场景。
UFZ24NL-F广泛应用于各类需要高效电源控制的电子系统中。典型应用场景包括便携式设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的上电时序以节省能耗；在同步整流型DC-DC转换器中作为上管使用，利用其P沟道特性简化驱动电路设计；在H桥或半桥拓扑中用于电机驱动或信号切换；也可用于电池反接保护电路中，当检测到电池反接时迅速切断回路以保护后级电路。此外，该器件适用于AC-DC适配器、LED驱动电源、无线充电发射端控制电路、智能电表电源管理单元以及小型家电的电源模块。由于其具备良好的高温稳定性和抗干扰能力，也被用于汽车电子中的辅助电源系统，如车用摄像头、导航仪和车载信息娱乐系统的电源控制部分。
Si4437BDY-T1-E3
