类型：P沟道
　　连续漏极电流（ID）：-2.4A
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：65mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：85mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：330pF（@ VDS = 10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：约8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约18ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-723

UFZ24NG-TN3-R具备出色的电气性能和紧凑的物理尺寸，是现代便携式电子设备中理想的功率开关选择。
　　首先，该MOSFET采用了先进的沟槽型技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，即使在低栅极驱动电压下也能实现高效的导通状态。例如，在VGS = -4.5V时，RDS(on)仅为65mΩ，而在更低的-2.5V驱动条件下仍可维持85mΩ的水平，这使得它非常适合使用3.3V或更低逻辑电平直接驱动的应用，无需额外的电平转换或升压电路，从而简化了整体设计并降低了系统成本。
　　其次，该器件具有较低的输入电容（Ciss = 330pF），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量较小，有助于减少开关损耗并提高电源转换效率。这对于诸如便携式医疗设备、智能手表、TWS耳机等对能效极为敏感的产品尤为重要。同时，较短的开启和关断延迟时间（分别为约8ns和18ns）保证了快速响应能力，使其可用于高频DC-DC变换器中作为上管开关或同步整流元件。
　　再者，UFZ24NG-TN3-R的热设计表现出色。尽管封装体积小（SOT-723），但通过优化芯片布局和封装材料，实现了良好的热传导路径，能够在有限空间内有效散发热量。其最大结温可达+150°C，且在正常工作条件下温升可控，确保长期运行的稳定性和寿命。
　　此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）防护特性，增强了在瞬态过压和恶劣环境下的鲁棒性。阈值电压范围合理（-0.8V至-1.4V），避免了因阈值漂移导致的误触发问题，提升了系统的可靠性。综合来看，UFZ24NG-TN3-R在小型化、低功耗、高效率和高可靠性之间取得了良好平衡，广泛适用于各类消费类和工业级低电压控制系统。

UFZ24NG-TN3-R主要应用于需要小型化和高能效的便携式电子设备中。
　　在移动终端领域，常用于智能手机和平板电脑中的电源管理模块，例如用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机与快速唤醒。其低导通电阻和快速开关特性使其成为理想的负载开关器件，能够有效降低电压降和功耗，延长电池续航时间。
　　在可穿戴设备中，如智能手表、健康监测手环等，空间极其有限，UFZ24NG-TN3-R的小型SOT-723封装优势明显，可在不牺牲性能的前提下节省PCB面积。它可用于电池充放电路径的控制、传感器电源的启停管理，以及背光驱动电路的开关调节。
　　此外，该器件也广泛应用于无线耳机（TWS）的充电盒和耳机本体内的电源切换电路，负责在主控IC与电池之间进行电源路由管理。由于这类产品对静态电流要求极高，UFZ24NG-TN3-R的低栅极驱动需求和微小的漏电流特性正好满足这一需求。
　　在工业和消费类电子产品中，该MOSFET可用于低压DC-DC转换器的同步整流部分，替代传统的肖特基二极管以提升转换效率。尤其是在1.8V、3.3V等低输出电压的Buck电路中，P沟道MOSFET作为上管使用时无需 bootstrap 电路，简化了设计复杂度。
　　其他应用场景还包括USB电源开关、电机驱动中的低端开关、LED调光控制以及各种电池供电的IoT节点设备中的电源门控单元。凭借其高可靠性与一致性，UFZ24NG-TN3-R也被用于一些汽车电子外围模块中，如车载信息娱乐系统的辅助电源管理。

DMG2400UW-7
　　FMMT718
　　AO8803
　　Si2301DS
　　BSS84