UFR8060C 时间：2025/12/27 9:13:18 阅读：16

UFR8060C是一款高性能的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等高效率、高频率的工作场景。该器件采用先进的沟槽型场效应技术制造，能够在较低的导通电阻下实现较高的电流承载能力，从而有效降低导通损耗，提升系统整体能效。UFR8060C封装形式通常为TO-220或D2PAK等标准功率封装，便于散热设计与PCB布局，适用于中高功率密度的应用场合。其设计兼顾了快速开关性能与良好的热稳定性，是现代电力电子系统中理想的功率开关元件之一。
　　该器件特别适用于需要高效能和紧凑设计的工业电源、服务器电源、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及电动汽车车载充电机等应用。由于其具备较高的栅极阈值电压和较强的抗噪能力，UFR8060C在复杂电磁环境中仍能保持稳定工作，减少误触发风险。此外，器件内部结构优化降低了寄生电感和电容，有助于抑制开关过程中的电压尖峰和振荡现象，进一步提升系统可靠性。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：80V
　　连续漏极电流（Id）：80A
　　脉冲漏极电流（Idm）：320A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：6.0mΩ @ Vgs=10V, Id=40A
　　导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ @ Vgs=4.5V, Id=40A
　　栅极电荷（Qg）：75nC @ Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：3200pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220/TO-247/D2PAK

特性

UFR8060C具备出色的导通与开关特性，其核心优势在于极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下可低至6.0mΩ，显著减少了大电流工作时的I2R损耗，提高了电源系统的转换效率。这一特性对于高负载持续运行的应用尤为重要，例如在DC-DC降压变换器中作为同步整流或主开关使用时，能够大幅降低温升，减少散热器尺寸，进而实现小型化设计。同时，该器件在低栅压（如4.5V）下仍能保持较低的Rds(on)，确保在宽输入电压范围内稳定工作，兼容逻辑电平驱动信号，增强了系统设计的灵活性。
　　该MOSFET采用优化的沟槽栅结构，有效提升了载流子迁移率，并降低了米勒电容（Crss），从而减小了开关过程中的电荷转移，加快了开关速度。这不仅缩短了开关过渡时间，还降低了开关损耗，使器件更适合高频操作环境（如数百kHz至MHz级开关频率）。此外，较低的栅极电荷（Qg=75nC）意味着驱动电路所需提供的驱动功率更小，减轻了驱动IC的负担，有助于简化驱动设计并提高系统整体效率。
　　热稳定性方面，UFR8060C具有高达+175°C的最大工作结温，配合良好的封装散热设计，可在高温工业环境下长期可靠运行。其雪崩能量耐受能力较强，具备一定的抗瞬态过压能力，提升了在异常工况下的鲁棒性。器件还通过了多项国际可靠性认证，符合RoHS环保要求，适用于对质量和可靠性有严格要求的应用领域。

应用

UFR8060C广泛应用于各类高效率功率转换系统中。在开关模式电源（SMPS）中，常被用作主开关管或同步整流管，尤其适用于大电流输出的AC-DC适配器、服务器电源和通信电源模块。其低导通电阻和快速开关特性有助于实现高能效和高功率密度的设计目标。
　　在DC-DC转换器拓扑中，如Buck、Boost和半桥结构中，UFR8060C可作为功率开关元件，适用于车载电源、工业控制电源及分布式电源系统。其优异的动态响应能力使其在负载突变情况下仍能保持稳定输出。
　　该器件也常见于电机驱动应用，包括直流无刷电机（BLDC）、步进电机驱动器和电动工具控制器中，作为H桥或半桥中的开关单元，提供高效且可靠的电流控制能力。
　　此外，在新能源领域，如太阳能微型逆变器、储能系统和电动汽车的车载充电机（OBC）中，UFR8060C凭借其高耐压、大电流和低损耗特性，成为关键的功率开关选择。其高结温能力和良好热性能也适合在密闭或高温环境中长期运行。