UFR8030C 时间：2025/12/27 8:55:31 阅读：20

UFR8030C是一款高性能的碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温工作环境下的电力电子应用而设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备卓越的开关特性与热性能，能够显著提升电源系统的整体效率并减小散热需求。UFR8030C广泛应用于工业电源、光伏逆变器、电动汽车充电系统、服务器电源以及不间断电源（UPS）等对可靠性与能效要求较高的领域。其无反向恢复电荷的特性使其在高频开关电路中表现出色，有效降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），提高了系统稳定性。此外，该器件采用标准TO-220封装，便于安装和替换，兼容现有的功率模块设计平台。
　　作为一款650V额定电压、8A平均正向电流的肖特基二极管，UFR8030C在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，最大结温可达175°C，适用于严苛的工作条件。其低正向压降和快速响应能力有助于减少导通损耗，提高能量转换效率。该产品符合RoHS环保标准，并通过了多项工业级可靠性测试，确保长期运行的稳定性和安全性。制造商通常提供详细的数据手册和技术支持，帮助工程师完成电路设计、热管理优化及EMI抑制方案的设计。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管
　　极性：单二极管
　　重复峰值反向电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：8A
　　正向压降（VF）：典型值1.35V @ 8A, 25°C
　　最大浪涌电流（IFSM）：60A
　　反向漏电流（IR）：最大值200μA @ 25°C, 典型值50μA @ 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AC
　　热阻（RθJC）：典型值3.5°C/W
　　安装扭矩：推荐0.6 N·m

特性

UFR8030C的核心优势在于其采用第三代宽禁带半导体材料——碳化硅（SiC）制造而成，这种材料相较于传统的硅基二极管具有更高的临界击穿电场强度、更优的热导率以及更低的本征载流子浓度，使得器件能够在更高电压、更高频率和更高温度下稳定运行。由于碳化硅材料的物理特性，UFR8030C实现了几乎无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）的操作行为，这意味着在开关过程中不会产生由少数载流子积累引起的反向恢复电流尖峰，从而大幅降低了开关损耗和电压振荡现象，提升了系统效率并减少了对外部缓冲电路的需求。
　　该器件的正向压降较低，在额定电流8A条件下典型值仅为1.35V，即便在高温工况下也保持良好的导通性能，有效控制了导通损耗。同时，其反向漏电流虽略高于传统硅器件，但在125°C时仍维持在50μA左右的可控水平，且随温度变化较为平缓，有利于系统热设计的可预测性。UFR8030C的最大结温高达175°C，意味着它可以在恶劣的热环境中持续工作而无需过度依赖复杂散热结构，特别适合紧凑型高功率密度电源设计。
　　在可靠性方面，UFR8030C经过严格的批次筛选和老化测试，具备优异的抗浪涌能力和长期稳定性。其TO-220封装形式不仅具备良好的机械强度和电气绝缘性能，还支持通孔焊接或散热片安装，适应多种应用场景。此外，该器件对dv/dt和di/dt的耐受能力强，可在高频PWM调制下稳定工作，适用于LLC谐振变换器、图腾柱PFC电路等先进拓扑结构。综合来看，UFR8030C是一款面向未来高效能电源系统的理想选择，尤其适合追求小型化、轻量化和高可靠性的现代电力电子设备。

应用

UFR8030C被广泛应用于各类高效率电力转换系统中，尤其是在需要实现高频化、小型化和高可靠性的场合表现突出。典型应用包括光伏（PV）逆变器中的直流链路续流或升压级整流，利用其零反向恢复特性显著降低开关损耗，提高整体转换效率；在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，用于PFC（功率因数校正）电路和输出整流环节，提升能效并满足严格的EMI标准；在服务器电源、通信电源和工业SMPS（开关模式电源）中，作为主整流元件使用，有助于缩小磁性元件体积并增强系统热管理能力。
　　此外，UFR8030C也适用于不间断电源（UPS）、焊机电源、感应加热装置以及电机驱动器中的续流与保护电路。在这些应用中，其高温工作能力可以简化冷却系统设计，降低系统总成本。由于其出色的动态响应特性，该器件还可用于高频DC-DC变换器，特别是在图腾柱无桥PFC拓扑中替代传统硅快恢复二极管，实现更高的功率密度和更低的能量损耗。随着碳化硅技术的普及，UFR8030C正在成为新一代绿色能源与智能电网设备中的关键元器件之一。