时间：2025/12/24 18:08:44
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UFR7120是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于各种功率转换系统。UFR7120通常采用TO-252（DPAK）封装形式，便于散热并适用于紧凑型设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：120A
最大漏源电压（Vds）：20V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
UFR7120的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽技术，使导通电阻和开关损耗之间的平衡达到最优。此外，UFR7120具有较高的电流承载能力，使其能够在高负载条件下稳定工作。其TO-252封装形式具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。UFR7120还具备出色的热稳定性，可在高温环境下长时间运行而不会显著影响性能。由于其高耐压能力和高可靠性，UFR7120非常适合用于汽车电子、工业控制和电源管理等领域。
另一个显著优势是其快速开关特性，这有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。UFR7120的栅极电荷（Qg）较低，使其在高频应用中表现优异，从而进一步提高电源转换效率。此外，该MOSFET的封装设计有助于简化PCB布局并提高机械强度，使其适用于各种严苛环境下的应用。
UFR7120广泛应用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器和DC-DC转换器。它也常用于工业电源设备、电池管理系统（BMS）和高功率直流电机控制电路。此外，UFR7120还适用于开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路以及各种需要高效功率开关的电子设备。
UFD7120、UFR7120A、UFD7120A、SQD120ENK-20R2
