类型：碳化硅肖特基二极管
　　极性：单芯片
　　最大重复反向电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：30A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：300A
　　正向电压降（VF）：1.75V @ 30A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：100μA @ 650V, 25°C
　　反向漏电流（IR）：5mA @ 650V, 175°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +185°C
　　封装形式：TO-247-2L
　　热阻结到壳（RθJC）：1.2°C/W

UFR6030C的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的物理特性所带来的卓越性能表现。首先，该器件实现了几乎为零的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这意味着在高频开关应用中不会产生由载流子复合引起的反向恢复电流尖峰，从而大幅降低了开关损耗和由此带来的电磁干扰问题。这一特性对于提高电源系统的整体效率至关重要，尤其是在连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）的功率因数校正（PFC）电路中，能够显著减少主开关管（如MOSFET或IGBT）的应力，延长其使用寿命。
　　其次，UFR6030C具备优异的热稳定性与高温工作能力。其最大允许结温可达+175°C，远高于传统硅二极管的150°C限制，使得器件能够在高温环境下持续稳定运行，减少了对外部散热系统的依赖，有助于缩小系统体积并提升功率密度。同时，在高温条件下，其反向漏电流虽然有所增加，但仍处于可控范围内（典型值5mA @ 650V, 175°C），不会引发热失控风险。
　　再者，该器件具有较低的正向导通压降（VF = 1.75V @ 30A），这在大电流工况下有效降低了导通损耗，提高了能效。尽管碳化硅二极管的VF通常略高于快恢复硅二极管，但综合考虑其无反向恢复损耗的优势，整体功耗仍显著降低。此外，TO-247-2L封装提供了良好的热传导路径和电气连接可靠性，适用于高功率应用场景，并兼容主流的功率模块装配工艺。
　　最后，UFR6030C具备出色的抗浪涌能力和长期可靠性。其峰值非重复浪涌电流高达300A，表明其在瞬态过流事件（如启动冲击或电网波动）中具有较强的耐受能力。器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环试验，确保在严苛工业环境中长期稳定运行。综上所述，UFR6030C是一款面向未来高效能电力电子系统的理想选择，尤其适用于追求小型化、高效率和高可靠性的先进电源设计。

UFR6030C凭借其高电压等级、大电流承载能力和优异的高频特性，广泛应用于多种高要求的电力电子系统中。在开关电源领域，它常用于服务器电源、通信电源和工业电源中的输出整流或PFC升压二极管，帮助实现95%以上的系统效率。在可再生能源系统中，如光伏发电逆变器，UFR6030C作为直流侧升压电路的关键元件，能够有效降低能量损耗，提升发电效率，并支持更高的开关频率以减小滤波元件体积。在电动汽车相关设备中，该器件可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率转换模块，满足宽输入电压范围和高效率转换的需求。此外，在不间断电源（UPS）和工业电机驱动系统中，UFR6030C也发挥着重要作用，特别是在需要高功率密度和良好热管理的设计中表现出色。由于其零反向恢复特性，该器件特别适用于图腾柱PFC拓扑，这是当前最高效的PFC架构之一，广泛用于高端电源产品中。

UF3C65400KSE3, C4D30065A, SCT30N65G2