类型：碳化硅肖特基二极管
　　封装：TO-252 (D-Pak)
　　重复峰值反向电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：10A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：150A（@8.3ms半正弦波）
　　正向电压（VF）：1.7V（典型值，@IF=10A, TJ=25°C）
　　最大结温（TJ）：175°C
　　反向漏电流（IR）：250μA（典型值，@VR=650V, TJ=25°C）；随温度升高略有增加
　　热阻（RθJC）：2.5°C/W（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：0ns（无反向恢复电荷，Qrr ≈ 0）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3

UFP254的核心优势在于其采用碳化硅材料制造的肖特基势垒结构，实现了近乎理想的开关特性。由于碳化硅具有宽禁带（~3.2eV）特性，该二极管在高温和高电压条件下仍能保持极低的反向漏电流和优异的稳定性。其最显著的特性之一是零反向恢复电荷（Qrr），这意味着在从导通状态切换到截止状态时，不会产生反向恢复电流尖峰，从而极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性在高频开关电源中尤为重要，能够显著提升系统的转换效率并降低对散热系统的要求。此外，UFP254的正向压降（VF）在额定电流下仅为1.7V左右，远低于同等规格的硅快恢复二极管，进一步降低了导通损耗。
　　该器件具备出色的热性能，最大结温可达175°C，允许在高温环境下长期可靠运行。其TO-252封装设计具有良好的热传导路径，可通过PCB铜箔有效散热，适用于紧凑型高功率密度设计。UFP254还具备高浪涌电流承受能力（IFSM=150A），能够在瞬态过载或启动过程中保持稳定，提高了系统的鲁棒性。由于其无掺杂p-n结的肖特基结构，避免了少数载流子存储效应，因此不存在反向恢复带来的电压振铃问题，有助于简化门驱动设计和优化EMI滤波电路。这些特性使UFP254特别适合用于连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）的PFC升压二极管，以及LLC谐振转换器中的续流二极管应用。

UFP254广泛应用于各类高效率电力电子系统中。在通信电源和服务器电源中，它常被用作功率因数校正（PFC）级的升压二极管，利用其零反向恢复特性来提升系统效率并满足80 PLUS钛金等高能效标准。在工业电源和UPS系统中，UFP254可用于DC-DC变换器的输出整流或中间母线电压的续流路径，帮助降低系统温升并提高可靠性。在可再生能源领域，如光伏（PV）逆变器和储能系统中，该器件作为直流侧升压或旁路二极管，能够有效减少能量损失并提升发电效率。此外，UFP254也适用于电动汽车充电设备（EV charger）、电机驱动器和感应加热电源等需要高耐压、高效率和高可靠性的应用场景。其表面贴装封装形式便于自动化生产，适合大规模制造。由于其卓越的动态性能，使用UFP254可以替代传统硅超快恢复二极管或部分SiC MOSFET体二极管，实现系统小型化和效率优化。

SCH2060A