型号：UF9Z24G-TN3-R
　　制造商：UnifET（友顺科技）
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：8.5A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：34A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　阈值电压（Vth）：典型值1.2V，范围1.0V～1.6V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：最大24mΩ @ VGS=4.5V；最大30mΩ @ VGS=2.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值470pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：典型值220pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值60pF
　　栅极电荷（Qg）：典型值8nC @ VDS=10V, ID=4.25A, VGS=4.5V
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值5ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值15ns
　　封装形式：TSM（SOT-723）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

UF9Z24G-TN3-R采用先进的沟槽式场效应晶体管工艺，具备极低的导通电阻，能够在小尺寸封装下实现优异的电流承载能力与较低的导通损耗，从而显著提高电源系统的转换效率。其24mΩ的超低RDS(on)在VGS=4.5V条件下表现突出，特别适用于低电压、大电流的同步整流和负载开关场合。该器件的阈值电压较低，典型值仅为1.2V，使其能够兼容3.3V甚至更低逻辑电平的控制信号，广泛适用于现代微控制器直接驱动的应用场景。此外，其较小的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss）确保了快速的开关响应速度，有效减少了开关过程中的能量损耗，提升了高频工作的稳定性。
　　该MOSFET的TSM封装具有极小的占板面积，厚度极薄，非常适合应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他高度集成的便携式电子产品中。封装结构还优化了热阻性能，使得热量可以更高效地从芯片传导至PCB，增强了长期运行的可靠性。器件内部结构经过优化，具备良好的抗雪崩能力和稳健的ESD防护特性，提高了在复杂电磁环境下的工作稳定性。同时，UF9Z24G-TN3-R通过了AEC-Q101可靠性认证的部分测试标准，可用于对质量要求较高的消费类与轻工业级应用。其绿色环保的封装材料不含铅和卤素，符合RoHS与REACH环保规范，支持无铅回流焊工艺，适应现代自动化生产流程的需求。总体而言，该器件在性能、尺寸、功耗和环保方面实现了良好平衡，是中小功率电源管理设计中的优选方案。

UF9Z24G-TN3-R广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电池保护电路与电源路径管理，如智能手机、蓝牙耳机和智能手表等，用于实现充放电控制和负载开关功能。在DC-DC转换器中，它常作为同步整流管使用，尤其是在降压（Buck）拓扑结构中，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升转换效率并减少发热。此外，该器件也适用于LED背光驱动电路、USB端口电源控制、电机驱动模块以及各类低电压电机控制应用，例如微型风扇或振动马达的驱动。
　　在嵌入式系统和物联网设备中，UF9Z24G-TN3-R可用于电源域切换或外设供电管理，帮助实现动态电源管理以延长电池续航时间。其低阈值电压特性使其可以直接由微控制器的GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了设计复杂度并节省了成本。工业手持设备、传感器模块和无线通信模块（如Wi-Fi、LoRa模组）中也常见该器件的身影，用于实现高效的电源控制与节能模式切换。由于其出色的热性能和紧凑封装，即使在高密度PCB布局中也能稳定工作，因此在追求小型化和高性能的现代电子产品设计中具有重要地位。

SI2302-DS3-T1-E3
　　AO3400A
　　FS8205A
　　DMG2302U