类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1A（@ VGS = -10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（@ VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：520pF（@ VDS = 15V）
　　开关时间（开启）：15ns
　　开关时间（关闭）：28ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

UF9640Z具备出色的电气性能和稳定性，其核心优势在于采用了先进的沟槽式MOSFET结构，在确保低导通电阻的同时有效降低了栅极电荷，从而显著提升了开关效率并减少了动态功耗。该器件的P沟道设计使其在高边开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现负载的直接控制，简化了电源管理系统的设计复杂度。其-30V的漏源电压额定值足以应对大多数低压直流系统中的瞬态电压波动，而-4.1A的连续漏极电流能力则能够支持中等功率级别的负载切换任务。
　　此外，UF9640Z在低栅极驱动电压下仍能保持较低的RDS(on)，例如在-4.5V VGS条件下仍可实现45mΩ的导通电阻，这使得它非常适合用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景，如微控制器I/O口控制的电源开关。这种特性不仅提高了系统的集成度，还避免了使用额外电平转换电路所带来的成本和空间开销。
　　该器件具有良好的热性能，得益于其小型但高效的封装设计，能够在有限的空间内有效散热，保证长时间工作的可靠性。同时，内置的体二极管提供了反向电流路径，在感性负载关断时起到续流作用，防止电压尖峰对电路造成损害。UF9640Z还具备较强的抗干扰能力和静电防护能力，能够承受一定水平的ESD冲击，增强了在实际生产与使用环境中的鲁棒性。
　　在制造工艺方面，该MOSFET采用无铅、无卤素材料体系，符合国际环保法规要求，适用于自动化贴片生产线，支持回流焊工艺。其高度一致的参数分布和稳定的批次间性能表现，使其成为工业级和消费级产品中理想的功率开关元件。

UF9640Z常被用于各类低电压、小功率的开关控制场合，典型应用包括便携式设备中的电池供电管理，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品的电源通断控制。在这些系统中，它可作为主电源开关或子系统电源域的使能开关，实现按需上电以降低待机功耗。此外，该器件也广泛应用于DC-DC转换器的同步整流电路中，尤其是在降压（Buck）变换器的高端开关位置，利用其低RDS(on)特性提高整体转换效率。
　　在LED照明驱动领域，UF9640Z可用于恒流源的通断控制，配合PWM调光信号实现精确亮度调节。由于其快速的开关响应时间，能够有效减少开关损耗，并在高频调光下保持稳定输出。在热插拔电路设计中，该MOSFET可作为理想二极管或限流开关使用，防止浪涌电流损坏后级电路，提升系统的安全性和可靠性。
　　其他应用场景还包括电机驱动中的H桥上臂开关、传感器模块的电源隔离、USB接口的过流保护开关以及各种嵌入式控制系统中的负载开关。凭借其高集成度、小尺寸和高可靠性，UF9640Z已成为许多设计师在构建高效节能电子系统时的首选P沟道MOSFET之一。

SI2301,DMG2301U,MCH3110,FDN302P,AP2301