类型：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：5.8A @ 25℃
　　脉冲漏极电流(IDM)：23.2A
　　导通电阻(RDS(on))：17mΩ @ VGS=10V, 19mΩ @ VGS=4.5V
　　栅源阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷(Qg)：10nC @ VDS=15V
　　输入电容(Ciss)：400pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：18ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装：SOT-23

UF840KL的核心特性之一是其优化的导通电阻与开关速度之间的平衡，这使其在低电压、高频率的应用中表现出色。在VGS=4.5V的驱动条件下，其RDS(on)仅为19mΩ，能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。这一特性特别适合用于电池供电设备中的同步整流电路或负载开关，有助于延长续航时间。同时，其在VGS=10V下的导通电阻进一步降低至17mΩ，适用于需要更高驱动能力的场合。
　　该器件具备较低的栅极电荷（Qg=10nC），意味着在开关过程中所需的驱动能量较小，有利于减少驱动电路的功耗，并加快开关速度，从而降低开关损耗。这对于高频DC-DC变换器尤为重要，可以有效提升系统的功率密度和热管理表现。此外，其输入电容为400pF，在同类产品中处于较低水平，有助于减少高频噪声耦合，提升EMI性能。
　　UF840KL的漏源击穿电压为30V，能够安全地应用于5V至24V的电源系统中，如USB PD快充、便携式设备电源管理、LED驱动等。其最大连续漏极电流可达5.8A，短时脉冲电流更高达23.2A，具备较强的瞬态负载应对能力。结合其-55℃至+150℃的工作结温范围，该器件可在高温环境下稳定运行，适用于工业级应用场景。
　　SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且具有良好的热传导性能，配合合理的布局设计可实现有效的散热管理。尽管封装小巧，但UF840KL通过优化芯片结构和封装工艺，确保了足够的电流承载能力和长期可靠性。

UF840KL广泛应用于多种中小型功率电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等，常被用作电池电源开关、充电路径控制或背光LED驱动的开关元件。其低导通电阻和小封装特性非常适合这类对空间和能效要求严苛的产品。在移动电源和充电宝设计中，UF840KL可用于同步整流或反向阻断二极管替代方案，以提升转换效率并减少发热。
　　在电源管理系统中，该器件常见于低压DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，尤其是在非隔离式Buck电路中作为下管使用。其快速开关能力和低Qg特性有助于实现高频率操作，缩小电感和电容尺寸，进而减小整体电源模块的体积。此外，在LDO后级的有源整流或热插拔电路中，UF840KL也可作为理想的理想二极管替代方案，防止反向电流流动并降低压降损耗。
　　工业控制领域中，UF840KL可用于驱动小型继电器、电磁阀或直流电机的H桥电路中的低端开关。其高脉冲电流能力使其能够承受电机启动时的浪涌电流。同时，在通信模块、传感器供电管理单元以及IoT设备中，该MOSFET也常用于电源域切换和待机模式下的电源切断，以实现精细化的功耗管理。

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　　 "AO3400",
　　 "Si2302DDS",
　　 "FDD390P",
　　 "ME2302",
　　 "RT3104"
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