类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：80V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：16A
　　脉冲漏极电流（IDM）：64A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on)@4.5V VGS：9.5mΩ
　　导通电阻RDS(on)@10V VGS：7.5mΩ
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：1750pF @ 1MHz
　　输出电容（Coss）：470pF @ 1MHz
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　二极管正向电压（VSD）：1.2V @ IF=16A
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TQFN-8L (3x3)
　　安装类型：表面贴装
　　功耗（PD）：2.5W

UF840KL-TQ2-R采用先进的沟槽式硅栅极工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而实现极低的RDS(on)，有效减少功率损耗并提高系统效率。其在4.5V VGS下的典型RDS(on)仅为9.5mΩ，即使在较低的驱动电压下也能保持优异的导通性能，特别适合用于同步整流和电池供电系统中的高效开关操作。该器件具备出色的动态特性，包括低栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），有助于加快开关速度、减小开关损耗，并降低对驱动电路的要求，进而提升高频工作的稳定性。
　　该MOSFET还集成了一个快速体二极管，反向恢复时间短至28ns，能够有效抑制因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统的可靠性和电磁兼容性。其TQFN-8L（3×3mm）封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且底部带有散热焊盘，可通过PCB敷铜层实现高效散热，支持较高的持续电流承载能力。器件的热阻（RθJC）低至20°C/W左右，确保在高负载条件下仍能维持安全的工作温度。
　　UF840KL-TQ2-R具有良好的抗雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中保护自身不受损坏，增强了系统的鲁棒性。它还具备较高的栅源电压耐受能力（±20V），防止因驱动信号异常导致的栅氧层击穿。所有参数均经过高温老化测试和严格筛选，保证了产品的一致性和长期可靠性。此外，该器件符合国际环保标准，无铅无卤，适用于自动化回流焊工艺，便于大规模生产应用。

广泛应用于各类高效率电源管理系统中，如笔记本电脑、平板设备和移动电源中的DC-DC降压变换器，作为上桥或下桥开关管使用；也可用于服务器主板、通信模块和嵌入式系统的多相供电架构中，提供稳定的电压调节。在适配器和充电器领域，尤其在USB PD快充方案中，该器件常被用作同步整流开关，以替代传统肖特基二极管，大幅提升转换效率并降低温升。此外，其紧凑的封装形式使其非常适合便携式消费电子产品的小型化设计需求。
　　在工业控制方面，UF840KL-TQ2-R可用于电机驱动电路中的H桥结构，驱动直流电机或步进电机，凭借其低导通电阻和快速响应能力，可实现精确的速度与方向控制。同时，它也适用于LED驱动电源、光伏逆变器中的辅助电源模块以及各类负载开关电路，实现对电源路径的高效通断控制。由于其具备良好的热稳定性和电气性能，还可用于汽车电子中的非动力域低压系统，例如车载信息娱乐系统电源管理或车灯调光控制电路。

AP8403AKL-HF, EUP840KL, AON6240, SISS840DN-T1-GE3, FDS840H