型号：UF840
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　最大功耗（PD）：125W（@TC=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.85Ω（@VGS=10V, ID=3.5A）
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：600pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：150pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

UF840采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，这种结构通过优化载流子流动路径，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了在大电流工作状态下的功率损耗。其RDS(on)在VGS=10V时不超过0.85Ω，这一指标在同类500V N沟道MOSFET中处于较优水平，有助于提高电源系统的整体能效。同时，低RDS(on)意味着更少的热量产生，在相同散热条件下可支持更高的持续电流输出，延长器件寿命并提升系统可靠性。
　　该器件具备优良的开关特性，输入电容Ciss仅为600pF，输出电容Coss为150pF，使得其在高频开关应用中表现出色。较低的寄生电容减少了栅极驱动所需的能量，降低了驱动电路的设计难度，并有效抑制了开关过程中的振荡现象。配合45ns的反向恢复时间trr，UF840在硬开关拓扑如反激式、正激式或半桥电路中能够实现快速关断，减少死区时间内的能量损耗，进一步提升转换效率。
　　UF840的热稳定性表现优异，最大功耗可达125W（在壳温25℃条件下），且拥有-55℃至+150℃的工作结温范围，适应各种严苛环境。其TO-220封装具备良好的热传导能力，可通过外接散热片将热量迅速导出，确保长时间稳定运行。此外，±30V的栅源电压耐受能力增强了抗干扰能力，避免因驱动信号波动导致栅氧层击穿，提升了系统安全性。内置的体二极管具有较快的恢复速度，可在感性负载关断时提供可靠的续流路径，防止电压尖峰对主开关造成损害。综合来看，UF840在高压、高效率、高可靠性的电力电子应用中具备较强的竞争力。

UF840广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关管使用。例如，在反激式（Flyback）电源拓扑中，UF840可作为初级侧的功率开关，负责将输入的直流高压进行周期性斩波，通过变压器实现电压变换与隔离输出。其500V的耐压能力和7A的额定电流足以应对多数通用电源需求，包括适配器、充电器、电视机电源板等消费电子产品。
　　在LED恒流驱动电源中，UF840常用于隔离式或非隔离式降压（Buck）或升压（Boost）电路中，作为功率调节的核心元件。其快速开关响应和低导通损耗有助于实现高效率的能量传输，满足节能标准要求。此外，在小型逆变器、UPS不间断电源和太阳能微逆系统中，UF840可用于H桥或推挽拓扑结构中的开关单元，承担能量转换与控制任务。
　　工业控制领域也是UF840的重要应用方向，如伺服电机驱动、电磁阀控制、继电器驱动等场合，需要频繁通断大电流负载，UF840凭借其高耐压、强电流承载能力和良好的热稳定性，能够胜任此类严苛工况。同时，其TO-220封装便于安装于散热器上，适合紧凑型工业模块设计。在家电产品如空调、洗衣机、微波炉的电源控制模块中，UF840也常被选用以实现高效稳定的电力管理。总之，凡涉及高压、中功率、高频率开关操作的应用场景，UF840均是一个可靠且经济的选择。

KSE840, KF840, FQPF840, STP840FP