型号：UF830L-TN3
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　极性：N-Channel
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25℃）：4.4A
　　脉冲漏极电流IDM：12A
　　导通电阻RDS(on)（@VGS=10V）：22mΩ
　　导通电阻RDS(on)（@VGS=4.5V）：26mΩ
　　栅极阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：520pF
　　输出电容Coss：190pF
　　反向传输电容Crss：50pF
　　栅极电荷Qg（@10V）：10nC
　　功耗PD：1W
　　工作结温范围TJ：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃

UF830L-TN3采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备出色的导通特性和开关性能，能够在低电压驱动条件下实现高效的功率控制。其最大漏源电压为30V，适用于3.3V、5V或12V供电系统的开关应用，如同步整流、负载开关和电池管理电路。该器件在VGS=10V时的典型导通电阻仅为22mΩ，在VGS=4.5V时为26mΩ，这一低RDS(on)特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率，尤其适合对能效要求较高的便携式设备。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，使其能够兼容低电压逻辑信号直接驱动，例如来自微控制器或逻辑门的3.3V或甚至1.8V输出信号，从而简化驱动电路设计，减少外围元件数量。同时，其输入电容Ciss为520pF，输出电容Coss为190pF，反向传输电容Crss为50pF，这些较低的寄生电容参数有助于降低开关过程中的能量损耗，并提升高频开关性能，适用于频率较高的DC-DC变换器拓扑结构，如Buck、Boost和同步整流电路。
　　UF830L-TN3的封装为SOT-23，具有体积小、重量轻、易于自动化贴片安装的优点，非常适合应用于空间受限的消费类电子产品。尽管封装小巧，但其仍能承受高达4.4A的连续漏极电流（在25℃下），并在良好散热条件下支持短时脉冲电流达12A，展现出较强的电流驱动能力。此外，器件的最大功耗为1W，结温范围宽达-55℃至+150℃，确保了在恶劣环境条件下的可靠运行。内置的体二极管也具备一定的反向恢复能力，可在感性负载切换时提供保护路径。综合来看，UF830L-TN3凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代低电压、高效率电源管理系统中的优选器件之一。

UF830L-TN3主要应用于需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关与负载管理，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中的电池供电切换控制。在这些设备中，该MOSFET可用于实现电源路径管理，控制电池对主系统的供电通断，以降低待机功耗并延长续航时间。
　　此外，它也广泛用于DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器中的同步整流开关，替代传统的肖特基二极管以提高转换效率。由于其低导通电阻和快速开关特性，能够显著减少整流阶段的能量损耗，提升电源模块的整体能效。在LED驱动电路中，UF830L-TN3可用作恒流调节开关，配合电感和控制器实现高效的白光LED背光或照明控制。
　　工业和家用电子设备中的电机驱动电路也是其重要应用场景之一，特别是在微型直流电机、步进电机或风扇控制中，作为H桥或单边驱动开关使用，实现正反转或调速功能。同时，该器件还适用于各类热插拔电路、过流保护模块以及USB端口的电源开关，防止短路或浪涌电流对主系统造成损害。得益于SOT-23的小型封装，它特别适合高密度PCB布局和自动化生产，满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。

FDG330N