型号：UF830G-TQ2-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　极性：N-Channel
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：5.3A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：14A
　　导通电阻RDS(on)：28mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：35mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压VGS(th)：1.0V～2.0V
　　栅极电荷Qg：9nC（@VGS=10V）
　　输入电容Ciss：500pF（@VDS=15V）
　　输出电容Coss：170pF（@VDS=15V）
　　反向恢复时间trr：25ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃

UF830G-TQ2-R采用高性能沟槽栅极技术，有效降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了系统整体效率。其低至28mΩ的RDS(on)在同类SOT-23封装器件中具有较强竞争力，尤其适用于大电流开关应用。该器件在VGS=4.5V时仍能保持35mΩ的低导通电阻，表明其在低电压驱动条件下仍具备良好的导通能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的电路，如微控制器GPIO输出控制。
　　该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg=9nC），有助于减少开关过程中的驱动功耗，提升高频开关应用下的能效表现。同时，较低的输入电容（Ciss=500pF）也意味着对驱动电路的负载较小，可加快开关速度，缩短开关过渡时间，降低开关损耗。这对于DC-DC转换器、同步整流、LED驱动等高频工作场景尤为重要。
　　UF830G-TQ2-R的阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保了器件在低电压下即可开启，提升了对低压控制信号的响应能力。同时，其最大漏极电流可达5.3A（连续），脉冲电流高达14A，能够应对瞬态大电流负载需求，适用于电机驱动、热插拔电源管理等应用场景。
　　SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，配合适当的PCB布局（如增加铜箔面积），可有效传导热量，提高器件长期工作的稳定性与可靠性。此外，该器件具有出色的抗雪崩能力和稳健的ESD防护特性，增强了在恶劣工作环境下的耐用性。综合来看，UF830G-TQ2-R是一款兼具高性能、小型化与高可靠性的MOSFET，适合现代电子系统对高效节能和紧凑设计的双重需求。

广泛应用于便携式电子设备中的电源开关、电池保护电路、负载开关控制；在各类DC-DC降压或升压转换器中作为同步整流开关使用；适用于LED背光驱动电路、小型电机驱动模块、USB电源管理、智能电表及工业传感器供电单元；同时也可用于热插拔控制器、继电器替代方案以及微控制器I/O扩展驱动等场景。

SI2302-DS3-T1-E3

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